技术编号：7251057
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种集成电路(IC)，包括具有第一掺杂水平的阱区域(156)和在阱区域中注入的多个半导体区域(154)。多个半导体区域中的每个半导体区域具有大于第一掺杂水平的第二掺杂水平。在多个半导体区域上布置的多个多晶硅区域(202-1，202-2；204-1，204-2；302-1，302-2；304-1，304-2)形成多个镇流电阻器。多晶硅区域分别连接到半导体区域，在所述多晶硅区域下方退化半导体区域，以便产生附加的电阻率。多个半导体区域构成金属氧化物半导体场效应晶...
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