技术编号:7251845
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供用于形成多元成分半导体的方法及器件。在一个实施方案中,所提供的方法包括将前体材料沉积在衬底上,其中该前体材料可包括添加剂或可与其一起使用以使最终半导体层的背部部分中的IIIA族材料(例如Ga)的浓度最小化。该添加剂可为单质或合金形式的非铜的IB族添加剂。一些实施方案可能使用硒和硫,形成六元或更多元半导体合金。要强调的是提供此摘要以符合要求摘要的规则,该规则允许检索者或其他读者能迅速确定技术公开的主题。应理解本摘要将不用于解释或限制权利要求书的范围...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。