技术编号：7252437
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了将半导体材料层从第一施主结构转移至第二结构的方法，该方法包括以下步骤在第一施主结构内形成由其中的植入的离子限定的大致平坦的弱化区。植入的离子的浓度和植入的离子的元素成分的至少一方可以形成为在整个大致平坦的弱化区上横向地变化。第一施主结构可以接合至第二结构，并且第一施主结构沿着大致平坦的弱化区可以断裂，保留所述半导体材料层接合至第二结构。可以通过在转移的半导体材料层上形成有源器件结构来制造半导体器件。利用描述的方法制造半导体结构。专利说明在3D集...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。