在3d集成处理中转移材料层的方法以及相关结构和装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了将半导体材料层从第一施主结构转移至第二结构的方法，该方法包括以下步骤：在第一施主结构内形成由其中的植入的离子限定的大致平坦的弱化区。植入的离子的浓度和植入的离子的元素成分的至少一方可以形成为在整个大致平坦的弱化区上横向地变化。第一施主结构可以接合至第二结构，并且第一施主结构沿着大致平坦的弱化区可以断裂，保留所述半导体材料层接合至第二结构。可以通过在转移的半导体材料层上形成有源器件结构来制造半导体器件。利用描述的方法制造半导体结构。
【专利说明】在3D集成处理中转移材料层的方法以及相关结构和装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及在半导体器件制造中采用的三维(3D)集成处理中将材料从施主(donor)结构转移至受主(recipient)结构的方法。
【背景技术】
[0002]两个或更多个半导体结构的三维(3D)集成在微电子应用中可产生多个优点。例如，微电子组件的3D集成可得到改进的电气性能和功耗，同时减小器件封装的面积。例如参见 P.Garrou 等人的 “The Handbook of3D Integration, ” Wiley VCH(2008)。通过将半导体裸晶附着至一个或多个附加半导体晶片(即，裸晶与裸晶(D2D))、将半导体裸晶附着至一个或多个半导体晶圆(即，裸晶与晶圆(D2W))以及将半导体晶圆附着至一个或多个附加半导体晶圆(即，晶圆与晶圆(W2W))或它们的组合，可以进行半导体结构的3D集成。
[0003]在本领域中被称为SMART-CUT?处理的处理用于单片3D集成处理中。SMART-CUT?处理例如在以下有所描述:授予fcuel的美国专利N0.RE39, 484 (2007年2月6日发布)、授予Aspar等人的美国专利N0.6，303，468 (2001年10月16日发布)、授予Aspar等人的美国专利N0.6，335，258 (2002年I月I日发布)、授予Moriceau等人的美国专利N0.6，756，286 (2004年6月29日发布)、授予Aspar等人的美国专利N0.6，809，044(2004年10月26日发布)和授予Aspar等人的美国专利N0.6，946，365 (2005年9月20日发布)。
[0004]简单地说，SMART-CUT?处理涉及沿着离子植入面将多个离子(例如，氢离子、氦离子或惰性气体离子的一种或者更多种)植入到施主结构内。沿着离子植入面植入的离子限定了施主结构内的弱化面，施主结构随后沿着该弱化面裂开或断裂。如本领域已知的，离子植入施主结构内的深度至少部分地随离子植入施主结构内的能量而变化。一般来说，低能量植入的离子将以相对较浅的深度植入，而高能量植入的离子将以相对较深的深度植入。
[0005]施主结构接合至另一受主结构，然后施主结构沿着离子植入面裂开或断裂。例如，可以加热接合的施主结构和受主结构，以使得施主结构沿着离子植入面裂开或断裂。可选地，可以向施主结构施加机械力以帮助施主结构沿着离子植入面裂开。在施主结构沿着离子植入面裂开或断裂之后，施主结构的一部分保持接合至受主结构。施主结构的其余部分可以在进一步的SMART-CUT?处理中再使用，以将施主结构的附加部分转移至受主结构。
[0006]在断裂处理之后，施主结构的断裂的表面可以包括施主结构的晶格中的离子杂质和瑕疵，在一些应用中，其可以包括单晶体半导体材料。可以对施主结构的转移至受主结构的那部分进行处理，以努力降低在施主结构的转移部分中的杂质程度并且提高晶格质量(即，减少断裂的表面所靠近的晶格中的缺陷数量)。这种处理常常涉及在例如约1000°C的高温下热退火。
【发明内容】
[0007]提供
【发明内容】
部分以按照简单形式引入概念的选择。在以下本公开的示例实施方式的详细描述中更加详细地描述了这些概念。本
【发明内容】
部分不旨在识别出要求保护的主题内容的关键特征或重要特征，也不旨在限制要求保护的主题内容的范围。
[0008]在一些实施方式中，本发明包括将半导体材料层从第一施主结构转移至第二结构的方法。根据所述方法，可以将离子植入第一施主结构内，以在第一施主结构内形成由植入的离子限定的大致平坦的弱化区。该大致平坦的弱化区可以将第一施主结构的所述半导体材料层与第一施主结构的其余部分分离。植入的离子的浓度和植入的离子的元素成分的至少一方可以形成为在整个大致平坦的弱化区上沿着平行于大致平坦的弱化区的至少一个方向上变化。第一施主结构可以接合至第二结构，并且第一施主结构可以沿着大致平坦的弱化区断裂，从而保留使所述半导体材料层接合至第二结构。
[0009]在其它实施方式中，本发明包括制造半导体器件的方法。根据所述方法，可以将半导体材料层从第一施主结构转移至第二结构。转移所述半导体材料层的步骤可以包括:将离子植入第一施主结构内，以在第一施主结构内形成由植入的离子限定的大致平坦的弱化区；将第一施主结构接合至第二结构；以及使第一施主结构沿着大致平坦的弱化区断裂，从而留下接合至第二结构的所述半导体材料层。形成在第一施主结构内的大致平坦的弱化区可以将第一施主结构的所述半导体材料层与第一施主结构的其余部分分离。另外，大致平坦的弱化区可以形成为使得植入的离子的浓度和植入的离子的元素成分的至少一方在整个大致平坦的弱化区上沿着平行于大致平坦的弱化区的至少一个方向上变化。可以在转移的半导体材料层上制造多个有源器件结构。
[0010]在其它实施方式中，本发明包括利用本文公开的方法制造的半导体结构。例如，半导体结构可以包括其中具有大致平坦的弱化区的第一施主结构。大致平坦的弱化区可以由第一施主结构内沿着大致平坦的弱化区的植入的离子限定。大致平坦的弱化区可以将第一施主结构的半导体材料层与第一施主结构的其余部分分离。此外，植入的离子的浓度和植入的离子的元素成分的至少一方可以在整个大致平坦的弱化区上沿着平行于大致平坦的弱化区的至少一个方向上变化。半导体结构可以还包括接合至第一施主结构的所述半导体材料层的第二结构。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]本说明书以权利要求为结束，虽然权利要求特别指出并清楚地声称了本发明的实施方式，但是当与附图结合地阅读时，本公开的实施方式的优点从本公开的实施方式的某些示例的描述中可以更容易确定，其中:
[0012]图1A至图1F是简化的示意性地示出根据本公开的方法的一些实施方式的在将半导体材料层从第一施主结构转移至第二受主结构的方法中施主和/或受主结构的截面图，其中在施主结构内形成非均匀离子植入面；
[0013]图2A至图2G是简化的示意性地示出根据本公开的方法的其它实施方式的在将半导体材料层从第一施主结构转移至第二受主结构的方法中施主和/或受主结构的截面图，其中通过施主结构的选择的区域植入离子，所述选择的区域包括形成在施主结构中的凹部;
[0014]图3A和图3B是简化的示意性地示出根据本公开的方法的一些实施方式的施主结构的处理的截面图，其中通过施主结构的选择的区域植入离子，所述选择的区域包括形成在施主结构中的凹部中的介电材料；
[0015]图4A和图4B是简化的示意性地示出根据本公开的方法的一些实施方式的施主结构的处理的截面图，其中使用多重离子植入处理以在施主结构内形成非均匀离子植入面；
[0016]图5A和图5B是简化的示意性地示出根据本公开的方法的其它实施方式的施主结构的处理的截面图，其中使用多重离子植入处理以在施主结构内形成非均匀离子植入面；
[0017]图6A和图6B是简化的示意性地示出根据本公开的方法的实施方式的施主结构的处理的截面图，其中施主结构包括绝缘体上半导体式结构；
[0018]图7A和图7B是简化的示意性地示出根据本公开的方法的实施方式的施主结构的处理的截面图，其中施主结构包括绝缘体上半导体式结构并且在其中具有离子约束层；以及
[0019]图8A至图8E是简化的示意性地示出根据本公开的方法的实施方式的施主结构的处理的截面图，其中在通过凹部将离子植入施主结构内之前，在凹部中形成侧壁间隔件。
【具体实施方式】
[0020]本文提供的图示不意味着是任何具体半导体结构、装置、系统或方法的实际示图，而只是用于描述本公开的实施方式的理想化的表达。
[0021]本文所用的任何标题不应理解为限制本发明的实施方式的范围，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。在整个说明书中，任何具体标题中描述的概念通常可以应用于其它部分。
[0022]引用的参考文献无论在本文中如何特征化，也不认为它们是相对于本文要求保护的主题内容的本发明的现有技术。
[0023]根据一些实施方式,一种将材料层(诸如半导体材料层)从第一施主结构转移至第二受主结构的方法包括:将离子植入第一施主结构内，以在第一施主结构内形成由植入的离子限定的大致平坦的弱化区。大致平坦的弱化区将要从第一施主结构转移的材料层与第一施主结构的其余部分分离。在整个大致平坦的弱化区上，该大致平坦的弱化区沿着平行于大致平坦的弱化区的至少一个方向是非均匀的。例如，植入的离子的浓度和植入的离子的元素成分的至少一方在整个大致平坦的弱化区上沿着平行于大致平坦的弱化区的至少一个方向可以变化。第一施主结构可以接合至第二受主结构，然后第一施主结构可以沿着大致平坦的弱化区断裂，并保留使材料层接合至第二受主结构。本文中以下将更加详细地描述这种方法。
[0024]图1是简化的示意性地示出施主结构100的截面图。施主结构100包括块体材料102，其可以例如包括诸如硅、锗、II1-V半导体材料这样的半导体材料(例如GaN、GaAs,InN, AIN, InGaN等)或者这些半导体材料的混合物。材料102可以为多晶的或可以包括单晶体材料。施主结构100可以为大致平坦的并可以具有第一主表面104A和平行于第一主表面104A取向的相对的第二主表面104B。
[0025]如图1A所示，离子(图1A中的方向箭头表示)可以仅通过施主结构100的选择的区域植入施主结构100中。离子可以包括例如氢离子、氦离子和惰性气体离子的一种或者更多种。离子可以沿着离子植入面106植入施主结构100中。如图1A所示，离子可以通过第一主表面104A沿着基本垂直于第一主表面104A的方向植入施主结构100中。
[0026]离子植入施主结构100中的深度至少部分地随离子植入施主结构100中的能量而变化。一般来说，用低能量植入的离子将以相对较浅的深度植入，而用高能量植入的离子将以相对较深的深度植入。可以通过选择为将离子以距离第一主表面104A的期望深度植入施主结构100内的预定能量将离子植入施主结构100内。至少一些离子可以按照期望植入深度以外的深度植入，并且随施主结构100内距离第一主表面104A的深度变化的施主结构100内的离子浓度的曲线图可以呈现在限定离子植入面106的期望植入深度处具有最大值的大致钟形(对称或不对称)曲线。换句话说，离子植入面106可以包括施主结构100内的与施主结构100中的最大离子浓度面对齐(例如，以施主结构100中的最大离子浓度面为中心)的层或区域。离子植入面106限定了施主结构100中的弱化区，在后续处理中，施主结构100可以沿着所述弱化区裂开或断裂，如下面更加详细的讨论。例如，简要地参照图1B，在施主结构中存在离子可以在施主结构100的晶格中产生缺陷108。
[0027]图1B所示的离子植入面106可以包括单个植入面，其中大多数离子沿着施主结构100内的单个面设置。换句话说，大多数植入的离子集中于施主结构100内的单个深度处。这与其中离子的植入可以导致多重植入面的结构相反。例如,用不同植入能量的多重植入处理或通过植入非均匀施主结构内(即，非均匀植入表面地形图和/或非均匀植入材料组成)可以得到施主结构内的多重植入面。
[0028]将要从施主结构100转移至另一受主结构的材料层110限定在离子植入面106的一侧，并且施主结构100的其余部分112设置在离子植入面106的与材料层110相对的侧。
[0029]再次参照图1A，如前所述，在整个弱化区上沿着离子植入面106的大致平坦的弱化区沿着平行于离子植入面106的至少一个方向是非均匀的。例如，植入的离子的浓度和植入的离子的元素成分的至少一方在整个大致平坦的弱化区上可以变化。为了形成这种非均匀弱化区，在一些实施方式中，可以仅通过施主结构100的选择的区域植入离子。例如，可以通过经构图掩模118中的通孔116将离子植入施主结构100中。如图1A所示，经构图掩模118可以形成在施主结构100的主表面104A上，或者经构图掩模118可以与施主结构100分离地形成并且简单地设置在施主结构100的主表面104A上(直接设置于主表面104A上，或在主表面104A上方与主表面104A竖直地分离)。
[0030]通过经构图掩模118中的通孔116将离子植入施主结构100中，仅通过材料层110的第一多个区域120而不通过材料层110的第二多个区域122植入离子。在图1A和图1B中通过竖直取向的虚线标示出第一多个区域120和第二多个区域122。掩模118的材料阻碍(例如，妨碍)了离子通过第二多个区域122植入施主结构100中。如前所述，材料层110可以包括将最终用于在受主结构(材料层110将被转移至其上)上制造有源半导体器件结构(例如，晶体管、电容器、导电通路等)的半导体材料。根据本公开的一些实施方式，通孔116可以选择性地形成在经构图掩模118中，以使得通孔设置将成为材料层110的无源区域的部分上方并与将为材料层110的无源区域的部分竖直地对齐，因此掩模118的材料遮蔽材料层110的有源区域以防离子进入。换句话说，材料层110的第一多个区域120可以包括材料层110的无源区域，并且第二多个区域122可以包括材料层110的有源区域。
[0031]如本文所用，术语“无源区域”当关于将要从施主结构转移至受主结构的材料层使用时，意指并包括这样的区域，在其中不包括任何有源器件结构的完工的装置中，所述区域最终在材料层中包括钝化区域。如本文所用，术语“有源区域”当关于将要从施主结构转移至受主结构的材料层使用时，意指并包括这样的区域，在其中包括一个或多个有源器件结构(诸如晶体管、电容器和导电通路的一种或者更多种)的完成制造的装置中，所述区域最终在材料层110中包括有源区域。
[0032]如上所述，可以通过材料层110的无源区域(第一多个区域120)植入离子，而不通过材料层Iio的有源区域(第二多个区域122)植入任何明显量的离子。因此，由于相对于邻近第一多个区域120的大致弱化区中存在的离子的浓度(可以至少基本为零)，邻近第一多个区域120的大致弱化区中存在相对较高浓度的离子，因此通过离子植入面106限定的大致平坦的弱化区沿着平行于大致平坦的弱化区的至少一个方向在整个大致平坦的弱化区上是非均匀的。因此，可以使用本发明的实施方式减少可能由于离子植入处理造成的对有源区域(即，第二多个区域122)的损坏。
[0033]参照图1C，施主结构100的第一主表面104A(包括将被转移的材料层110的表面)可以接合至受主结构130。在一些实施方式中，在如上所述将离子植入施主结构100中之后，可以将施主结构100接合至受主结构130。在其它实施方式中，在将施主结构100的第一主表面104A接合至受主结构120之后，可以通过施主结构100的相对主表面104B将离子植入施主结构100中。在将施主结构100的第一主表面104A接合至受主结构120之后，可能相对较难以执行植入处理，因为在期望深度植入离子需要更高的能量。
[0034]在一些实施方式中，可以利用直接接合处理将施主结构100直接接合至受主结构130。所称的“直接接合法”是在两个结构之间建立直接固-固化学键以将它们接合在一起而不在它们之间使用中间接合材料的方法。研发了直接金属-金属接合方法和直接氧化物-氧化物接合方法，以将在第一结构的表面处的金属或氧化物材料接合至在第二结构的表面处的金属或氧化物材料。该方法在例如P.Garrou, et al., “The Handbook of3DIntegration, ”Wiley VCH(2008) Volumel, Chapterll 中有所讨论。
[0035]因此，如果施主结构100的块体材料102和/或受主结构130的材料在其接合表面不包括用于这种直接接合处理的合适材料，则可以在施主结构100的接合表面和/或受主结构130的接合表面提供合适接合材料。例如，图1C示出了在施主结构100的接合表面(第一主表面104A)的接合材料124和在受主结构130的接合表面的接合材料132。
[0036]接合材料124和接合材料132可以具有相似成分，并可以包括例如金属材料(例如铜、铝、钛、钨、镍等或这些金属的合金)、氧化物材料(例如，氧化硅)或半导体材料(例如硅、锗、复合半导体材料等)。
[0037]可以清洁接合材料124和接合材料132的接合表面以去除表面杂质和表面化合物(例如，天然氧化物)。另外，可以降低接合表面的表面粗糙度以在原子级增大接合表面之间紧密接触的面积。接合表面之间的紧密接触的面积通常通过以下步骤实现:抛光接合表面以将表面粗糙度至多减小至接近原子级的值；在接合表面之间施加压力导致塑性变形；或者进行抛光接合表面以及施加压力这二者，以获得这种塑性变形。
[0038]在制备接合表面之后，可以使它们彼此紧密接触。接合表面之间的引力足够高以引起分子粘附(待接合的两个表面的原子和/或分子之间的电子相互作用的总引力(范德华力)引起的接合)。随后可以将诸如触针这样的工具在施主结构100的露出的主表面104B(和/或受主结构130的露出的主表面)上按压，以发起接合波在施主结构100和受主结构130的接合表面之间的整个界面的传播。应用工具的点可以例如位于施主结构100和/或受主结构130的中心或靠近它们的周边边缘。这种方法在例如以Castex等人的名义公布于2011年2月24日的美国专利申请公开N0.US2011/0045611A1中有所公开。
[0039]可选地，可以在接合处理的过程中加热施主结构100和/或受主结构130以帮助接合处理。
[0040]受主结构130可以包括裸晶或晶圆，并且在一些实施方式中可以包括先前制造的有源器件结构134。图1C中示意性地示出的有源器件结构134表示晶体管，但是有源器件结构134可以包括其它类型的有源器件结构，诸如电容器、导线、迹线和/或过孔等。有源器件结构134可能包括当受到过量热能就可以受到不利影响的材料或结构。因此，在一些实施方式中，在约400°C或更低、约200°C或更低或甚至在室温的温度下可以执行接合处理。
[0041]在将施主结构100接合至受主结构130之后，施主结构100可以沿着离子植入面106裂开或断裂，以形成图1D所示的结构，其包括受主结构130、通过之间的接合材料124和接合材料132接合至受主结构130的材料层110。例如，可以加热施主结构100 (以及可选地受主结构130)以使得施主结构100沿着离子植入面106裂开或断裂。在一些实施方式中，在断裂处理中，施主结构100和受主结构130的温度可以保持在约500°C或更低，约400°C或更低，或甚至约350°C或更低。为了例如防止损坏受主结构130上的先前形成的有源器件结构，在断裂处理过程中限制温度可以是希望的。然而，在其它实施方式中，可以在高温下执行裂开处理。可选地，可以向施主结构100施加机械力以引起或帮助施主结构100沿着离子植入面106裂开或断裂。
[0042]在断裂处理之后，材料层110保持接合至受主结构130，并且施主结构100的其余部分可以再使用，以根据需要将附加的多层材料转移至受主结构。
[0043]在断裂处理之后，材料层110的露出的断裂的表面111可以包括转移的材料层110的晶格中的缺陷和杂质。另外，在材料层Iio的邻近第一多个区域120 (图1B)的断裂的表面111 (通过其植入离子)可以存在如前所述由植入的离子导致的缺陷108。因此，可以处理材料层110的断裂的表面111以去除杂质(例如，植入的离子)以及提高材料层110中靠近断裂的表面111的晶格的质量。例如，断裂的表面111可以受到化学蚀刻处理、机械抛光处理和化学机械抛光(CMP)处理的一个或多个，以形成图1E所示的结构。图1E的结构与图1D的结构基本相似,但是表面111不出为不含缺陷108,以相对于图1D的表面表现出提闻质量的表面111。
[0044]用于提高靠近表面111的材料层110的质量的处理过程可以不使得材料层110完全不含杂质或具有完美结晶质量。然而，相对于第一多个区域120 (可以包括无源区域)，第二多个区域122 (可以包括有源区域)的质量可以更好，这是由于通过第一多个区域120植入离子，而不通过第二多个区域122植入离子。
[0045]参照图1F，可以在转移的材料层110中和/或上制造有源器件结构140。图1C中示意性地示出的有源器件结构140表示晶体管，但是所述有源器件结构140可以包括其它类型的有源器件结构，诸如电容器、导线、迹线和/或过孔等。另外，有源器件结构140可以包括CMOS型晶体管、纵向晶体管、二极管(例如，PN结)、交叉点存储器装置(例如，相变存储器或另一类型的电阻性存储器装置)的组件等的任一个。可选地，可以在有源的第二多个区域122中和/或上制造有源器件结构140，而不在无源的第一多个区域120上大量制造有源器件结构140，如图1F所示。作为制造在提高质量的材料层110的表面111上和/或中的结果，有源器件结构140的性能的可靠性可以提高。
[0046]可以根据已知方法继续后续处理，以完成一个或多个半导体器件的制造。这种半导体器件可以包括例如电子信号处理器装置、存储器装置、光敏装置(例如，辐射发射装置(诸如激光器、光发射二极管等)或辐射接收装置(诸如光电检测器、太阳能电池等))、微机械
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[0047]有源器件结构140中的一个或更多个可以通过以下步骤可操作地与受主结构130的有源器件结构134中的一个或更多个结合:利用一个或更多个竖直延伸的导电过孔、导电垫和横向延伸的导线在它们之间建立电接触。
[0048]图2A至图2G示出了本公开的方法的其它实施方式。图2A与图1A相似，并且示出了通过经构图掩模168中的通孔166植入离子，通过待转移的材料层160的第一多个区域170选择性地将离子植入施主结构150中，而不通过材料层160的第二多个区域172植入离子。然而，在沿着离子植入面156植入离子以形成非均匀的大致弱化区之前，在第一多个区域170中在施主结构150的第一主表面154A中可以形成多个凹部164，如图2A所示。
[0049]可以通过利用例如掩模和蚀刻处理在施主结构150中形成凹部164。在一些实施方式中，在离子植入处理中使用的相同掩模168可以首先用作蚀刻掩模以形成凹部164。例如，通过将氧化物材料、氮化物材料或氧氮化物材料淀积在施主结构的表面154A上，可以形成经构图掩模168。随后可以使用光刻处理形成穿过掩模168的通孔166。例如，可以在用于形成掩模168的材料上淀积构图光掩模，并且可以使用蚀刻处理通过利用构图光掩模在掩模168中蚀刻通孔166 ,然后,可以去除光掩模。随后可以利用经构图掩模168来在施主结构150中形成凹部164，然后可以通过凹部164和材料层160的第一多个区域170植入离子，利用掩模168遮蔽材料层160的第二多个区域172以防离子进入。
[0050]通过经通孔164植入离子，离子植入面156在施主结构156中距离主表面154A的深度可以增大。例如，在一些实施方式中，离子植入面156可以设置为距离施主结构150的主表面154A (通过其植入离子)大约1.5μπι或更多。通过将离子植入施主结构150中使其距离主表面154Α更远使得能够将相对较厚的材料层160转移至受主结构。
[0051]图2Β示出了在去除掩模168之后的结构，并示出了在施主结构150中邻近第一多个区域170处的由离子植入处理导致的缺陷158。如前所述，图2Α所示的离子植入面156可以包括单个植入面，其中大多数离子沿着施主结构150中的单个面设置。换句话说，大多数植入的离子在施主结构150中集中于单个深度。
[0052]参照图2C，可以用介电材料165填充凹部164。例如，介电材料可以毯式淀积在图2Β的结构上，然后可以使用化学机械抛光(CMP)处理来去除施主结构150的主表面154Α上凹部164以外的过多的介电材料。
[0053]如图2D所示，施主结构150可以按照先前参照图1C描述的方式接合至受主结构180。受主结构180在一些实施方式中可以包括有源器件结构184。另外，如之前的讨论，在施主结构150的接合表面(第一主表面154Α)可以设置接合材料174,并且在受主结构180的接合表面上可以设置接合材料182。接合材料174和接合材料182可以具有相似的成分，并可以包括例如金属材料(例如，铜或铜合金)或氧化物材料(例如，硅氧化物)。可以在接合材料174和接合材料182的邻接表面之间建立直接金属-金属或氧化物-氧化物接合，如之前参照图1C的描述。
[0054]在将施主结构150接合至受主结构180之后，可以使施主结构150沿着离子植入面156裂开或断裂，以形成图2E所示的结构，其包括受主结构180以及接合至受主结构180的材料层160。施主结构150可以沿着离子植入面156断裂，如之前参照图1D的描述。在断裂处理之后，材料层160的露出的断裂的表面161可以包括所述转移的材料层160的晶格中的缺陷和杂质。另外，如前所述由植入的离子导致的缺陷158可以存在于靠近材料层160的第一多个区域170 (图2B)(通过其植入离子)的断裂的表面161处。因此，可以处理材料层160的断裂的表面161，以去除杂质(例如，植入的离子)并且提高材料层160中的靠近断裂的表面161处的晶格的质量。例如，断裂的表面161可以受到化学蚀刻处理、机械抛光处理和化学机械抛光(CMP)处理的一个或多个以形成图2F所示的结构。可选地，介电材料156可以用作蚀刻停止材料。换句话说，可以利用化学蚀刻处理、机械抛光处理和化学机械抛光(CMP)处理中的一种或者更多种来从断裂的表面161去除材料直至大量介电材料156变得露出为止。因此，在一些实施方式中，可以至少基本上去除所述转移的材料层160的无源的第一多个区域170 (图2B)。在其它实施方式中，可以保留转移的材料层160的无源的第一多个区域170 (图2B)的一部分。图2F的结构与图2E的结构相似，但是表面161的先前包括缺陷158 (图2E)的区域被去除。
[0055]参照图2G，可以在转移的材料层160中和/或上制造有源器件结构190。图2G中示意性地示出的有源器件结构190表示晶体管，但是有源器件结构190可以包括其它类型的有源器件结构，诸如电容器、导线、迹线和/或过孔等。另外，有源器件结构190可以包括CMOS型晶体管、纵向晶体管、二极管(例如，PN结)、交叉点存储器装置(例如，相变存储器或其它类型的电阻性存储器装置)的组件等的任一种。可选地，可以在有源的第二多个区域172中和/或上制造有源器件结构190，而不在无源的第一多个区域170上制造明显量的有源器件结构190，如图2G所示。作为制造在质量提高的材料层160的表面161上和/或中的结果，有源器件结构190的性能可靠性可以提高。
[0056]可以根据已知方法继续后续处理，以完成一个或多个半导体器件的制造，如前所述。
[0057]在附加实施方式中，可以执行类似于以上参照图2A至图2G描述的那些的方法，其中在施主结构中形成凹部之后而且在用介电材料填充凹部之后执行离子植入处理。例如，图3A示出了与图2A中所示的施主结构150相似的施主结构200。施主结构200包括块体材料202,并具有第一主表面204A和相对的第二主表面204B。如关于施主结构150的描述，在施主结构200的第一主表面204A中可以形成多个凹部212。
[0058]可以利用例如掩模和蚀刻处理在施主结构200中形成凹部212。例如，可以通过在施主结构200的表面204A上淀积氧化物材料、氮化物材料或氧氮化物材料来形成经构图掩模216。随后可以使用光刻处理来形成穿过掩模216的通孔218。例如，构图光掩模可以淀积在用于形成掩模216的材料上，并且可以利用构图光掩模使用蚀刻处理在掩模216中蚀刻通孔218，然后可以去除光掩模。随后可以使用经构图掩模216来在施主结构200中形成凹部212。
[0059]参照图3B，在凹部212中可以设置介电材料214，如之前关于图2C的介电材料165的描述。在将离子植入施主结构200中之前，可以将介电材料214设置在凹部212中。可以通过凹部212并且通过凹部212中的介电材料214总体沿着离子植入面206将离子植入施主结构200中，以在施主结构200中限定大致平坦的弱化区。如前所述，图3B中所示的离子植入面206可以包括单个植入面，其中大多数离子沿着施主结构200中的单个面设置。换句话说，大多数植入的离子在施主结构200中集中于单个深度。要从施主结构200转移的材料层210可以被限定在离子植入面206与第一主表面204A之间。
[0060]如前所述，可以将离子植入施主结构200中的第一多个区域220中，而不将离子植入施主结构200中的第二多个区域222中。在第一多个区域220中沿着离子植入面206示出缺陷208。在一些实施方式中，第一多个区域220可以包括施主结构200的无源区域，并且第二多个区域222可以包括施主结构200中的有源区域。虽然图3B中未示出掩模216，但是在一些实施方式中，可以在离子植入处理中使用用于形成凹部212的相同掩模216,以沿着离子植入面206形成非均匀弱化区。在其它实施方式中，可以使用不同掩模。
[0061]在如上所述植入离子之后，可以利用如本文先前参照图2D至2G所述的方法将材料层210转移至受主结构。
[0062]在先前描述的实施方式中，通过待转移的材料层的第一多个区域植入离子而不通过待转移的材料层的第二多个区域植入离子，使得施主结构内沿着离子植入面的大致平坦的弱化区非均匀。根据本公开的实施方式，可以使用其它方法形成非均匀弱化区。在附加实施方式中，可以通过待转移的材料层的第一多个区域和第二多个区域这二者来植入离子，但是可以使区域中的离子浓度、离子的元素成分或二者在待转移的材料层的第一多个区域和第二多个区域之间有差别。在这些附加实施方式中，通过第一多个区域和第二多个区域这二者植入的离子可以形成单个植入面，其中基本上主要的植入的离子位于植入的施主结构内。
[0063]例如，图4A示出了在第一离子植入处理中沿着离子植入面256植入施主结构250中的多个离子。如前所述，施主结构250可以包括块体材料252，并具有第一主表面254A和相对的第二主表面254B。离子可以均匀地植入施主结构250中，使得在第一多个区域270和第二多个区域272 二者中，第一多个缺陷258以大致均匀的方式形成在整个离子植入面256 上。
[0064]参照图4B，在第一离子植入处理之后，可以使用第二离子植入处理通过第一多个区域270植入附加的离子而不通过第二多个区域植入附加的离子。可以通过经构图掩模266中的通孔268将离子植入施主结构250中，如本文先前所述。相对于第一离子植入处理的离子，第二离子植入处理的离子可以为相同元素成分或不同元素成分。结果，在第一多个区域270中沿着离子植入面256形成附加缺陷259而不在第二多个区域272中形成附加缺陷 259。
[0065]如图4B所示，可以如前所述利用例如掩模和蚀刻处理将多个凹部264可选地形成在施主结构250的第一主表面254A中。可以先前参照图2A描述的方式将离子通过凹部264植入第一多个区域270 (如图所示4B)中。在其它实施方式中，在第二离子植入处理之前，在凹部264中可以设置介电材料，并且可以先前参照图3B描述的方式穿过凹部264内的介电材料来植入离子。
[0066]在第二离子植入处理之后，可以执行其它处理以利用如本文先前参照图2C至图2G所述的方法将材料层260转移至受主结构。[0067]在其它实施方式中，第一离子植入处理可以像第二离子植入处理那样包括选择性的非均匀的离子植入处理。例如，图5A示出了在第一离子植入处理中沿着离子植入面306将离子植入施主结构300中。如前所述，施主结构300可以包括块体材料302，并具有第一主表面304A和相对的第二主表面304B。离子可以非均匀地植入施主结构300中，使得第一多个缺陷308形成在第二多个区域322 (可以包括有源区域)中，而不将离子植入第一多个区域320 (可以包括无源区域)中。虽然未在图5A中示出，但是可以将离子通过经构图掩模中的通孔来植入施主结构300中的第二多个区域322中，如本文先前所述。
[0068]参照图5B，在第一选择性的非均匀离子植入处理之后，可以使用第二选择性的非均匀离子植入处理将附加离子通过第一多个区域320植入，而不将附加离子通过第二多个区域322植入。可以将离子通过经构图掩模316中的通孔318植入施主结构300中，如本文先前所述。相对于第一离子植入处理的离子，第二离子植入处理的离子可以为相同元素成分或为不同元素成分。结果，在第一多个区域320中沿着离子植入面306形成附加缺陷309，而在第二多个区域322中不形成这种附加缺陷。相对于第一多个缺陷308，第二多个缺陷309可以更广泛和/或更显著，使得在第一多个区域320中沿着离子植入面306限定的弱化区比第二多个区域322中的相对更弱(更易断裂)。
[0069]如图5B所示，利用例如如前所述的掩模和蚀刻处理可以将多个凹部312可选地形成在施主结构300的第一主表面304A中。可以按照先前参照图2A描述的方式将离子通过凹部312植入第一多个区域320 (如图5B所示)中。在其它实施方式中，在第二离子植入处理之前可以在凹部312中设置介电材料，并且可以按照先前参照图3B描述的方式通过凹部312中的介电材料植入离子。如图5B所示，第一选择性非均匀离子植入处理和第二非均匀离子植入处理可以导致离子集中于施主结构300中的单个植入面309。换句话说，第一选择性非均匀离子植入和第二非均匀离子植入可以在施主结构300中植入至基本相同的深度。
[0070]在第二离子植入处理之后，可以利用如本文先前参照图2C至图2G所述的方法执行其它处理以将材料层310转移至受主结构。
[0071]在本文中先前描述的任何方法中，施主结构可选地可以包括绝缘体上半导体(SeOI)型衬底(例如，绝缘体上硅(SOI)型衬底)。例如，图6A和图6B示出了与先前参照图5A和图5B描述的方法相似的方法，但是，其中施主结构包括绝缘体上半导体(SeOI)型衬底。当然，还利用绝缘体上半导体(SeOI)型衬底执行本文所述的任何其它方法，如以下参照图6A和图6B的描述。
[0072]参照图6A，示出的施主结构350包括基础衬底390和半导体材料层392，其中介电材料层394介于它们之间。换句话说，所述半导体材料层392设置在介电材料层394的与基础衬底390相对的一侧。介电材料层394可以包括本领域中所称的“掩埋氧化物层”(B0L),并可以包括例如陶瓷材料，诸如氮化物(氮化硅(例如，Si3N4))或氧化物(例如，氧化娃(SiO2)或氧化招(A1203))。在一些实施方式中，所述介电材料层394可以具有约一微米(I μ m)或更小、约五百纳米(500nm)或更小或甚至约三百纳米(300nm)或更小的平均总厚度。所述半导体材料层392可以包括例如硅、锗、II1-V半导体材料(例如，GaN, GaAs, InN,AIN、InGaN等)，或这些半导体材料的混合物。所述半导体材料层392可以为多晶的，或者可以包括单晶体的材料。基础衬底390可以包括例如陶瓷材料或半导体材料。在一些实施方式中，基础衬底390可以具有至少与所述半导体材料层392的成分基本相似的成分。像先前描述的施主结构那样，施主结构350具有第一主表面354A和相对的第二主表面354B。
[0073]图6A示出了多个离子在第一离子植入处理中沿着离子植入面306植入施主结构350中。离子可以非均匀地植入施主结构350中，使得在第二多个区域372 (可以包括有源区域)中形成第一多个缺陷358，而不将离子植入第一多个区域370 (可以包括无源区域)中。虽然未在图6A中示出，但是如本文先前所述，离子可以通过经构图掩模中的通孔植入施主结构350中的第二多个区域372中。
[0074]参照图6B，在第一选择性的非均匀离子植入处理之后，可以使用第二选择性的非均匀离子植入处理将附加的离子通过第一多个区域370植入，而不将附加的离子通过第二多个区域372植入。如本文先前所述，可以将离子通过经构图掩模366中的通孔368植入施主结构350中。相对于第一离子植入处理的离子，第二离子植入处理的离子可以为相同元素成分或为不同元素成分。结果，在第一多个区域370中沿着离子植入面356形成附加缺陷359，而在第二多个区域372中不形成这种附加缺陷。相对于第一多个缺陷358，第二多个缺陷359可以更广泛和/或更显著，使得在第一多个区域370中沿着离子植入面356限定的弱化区比第二多个区域372中的相对更弱(更易断裂)。
[0075]如图6B所示，可以利用例如如前所述的掩模和蚀刻处理可选地在施主结构350的第一主表面354A中形成多个凹部362。可以先前参照参照图2A描述的方式将离子通过凹部362植入第一多个区域370 (如图6B所示)中。在其它实施方式中，在第二离子植入处理之前，可以在凹部362中设置介电材料，并且可以先前参照图3B描述的方式通过凹部362中的介电材料植入离子。如先前实施方式所述，第一选择性非均匀离子植入处理和第二非均匀离子植入处理可以导致离子集中于施主结构350中的单个植入面309。换句话说，第一选择性非均匀离子植入和第二非均匀离子植入可以在施主结构350中植入至基本相同的深度。
[0076]在第二离子植入处理之后，可以利用如本文先前参照图2C至图2G所述的方法执行其它处理以将材料层360转移至受主结构。
[0077]在本文中先前描述的任何方法中，施主结构可以在其中可选地包括至少一个离子约束层，以帮助约束离子靠近希望的离子植入面。例如，图7A和图7B示出了与先前参照图6A和图6B描述的方法相似的方法，但是，其中施主结构还包括离子约束层。当然，也可以利用包括离子约束层的施主结构执行本文所述的任何其它方法，如以下参照图7A和图7B的描述。
[0078]参照图7A，示出的施主结构400包括绝缘体上半导体(SeOI)型衬底，其与图6A的衬底基本相似，并包括基础衬底440、半导体材料层442以及在基础衬底440与半导体材料层442之间的介电材料层444。施主结构400还包括设置在介电材料层444上的离子约束层446，在其一侧设置有半导体材料层442。换句话说，离子约束层446可以掩埋在半导体材料层442中，或者其可以设置在半导体材料层442和介电材料层444之间。
[0079]离子约束层446可以包括例如半导体材料层442的部分，在用于形成沿着离子植入面406的大致弱化区的离子植入处理之前，该部分掺杂有例如硼、碳或其它元素。掺杂元素的存在可以导致在植入处理中离子约束层446相对不易被离子穿透。在其它实施方式中，离子约束层446可以包括与所述半导体材料层442不同并且与所述半导体材料层442相比相对不易被待植入的离子穿透的材料(掺杂或未掺杂的)。[0080]图7A示出了多个离子在第一离子植入处理中沿着离子植入面406植入施主结构400中。离子可以非均匀地植入施主结构400中，使得第一多个缺陷408形成在第二多个区域422 (可以包括有源区域)中，而不将离子植入第一多个区域420 (可以包括无源区域)中。虽然未在图7A中示出，但是如本文先前所述，离子可以通过经构图掩模中的通孔植入施主结构400中的第二多个区域422中。
[0081]参照图7B，在第一选择性的非均匀离子植入处理之后，可以使用第二选择性的非均匀离子植入处理将附加的离子通过第一多个区域420植入，而不将附加的离子通过第二多个区域422植入。如本文先前所述，可以将离子通过经构图掩模416中的通孔418植入施主结构400中。相对于第一离子植入处理的离子，第二离子植入处理的离子可以为相同元素成分或为不同元素成分。结果，在第一多个区域420中沿着离子植入面406形成附加缺陷409，而在第二多个区域422中不形成这种附加缺陷。相对于第一多个缺陷408，第二多个缺陷409可以更广泛和/或更显著，使得在第一多个区域420中沿着离子植入面406限定的弱化区比第二多个区域422中的相对更弱(更易断裂)。
[0082]如图7B所示，可以利用例如如前所述的掩模和蚀刻处理可选地在施主结构400的第一主表面404A中形成将多个凹部412。可以先前参照参照图2A描述的方式将离子通过凹部412植入第一多个区域420 (如图7B所示)中。在其它实施方式中，在第二离子植入处理之前可以在凹部412中设置介电材料，并且可以先前参照图3B描述的方式通过凹部412中的介电材料植入离子。如先前实施方式所述，第一选择性非均匀离子植入处理和第二非均匀离子植入处理可以导致离子集中于施主结构400中的单个植入面409。换句话说，第一选择性非均匀离子植入和第二非均匀离子植入可以在施主结构400中植入至基本相同的深度。
[0083]在第二离子植入处理之后，可以利用如本文先前参照图2C至图2G所述的方法执行其它处理以将材料层410转移至受主结构。
[0084]在本文所述的其中离子通过凹部植入施主结构中的任何方法中，在将离子通过凹部植入施主结构内之前，可以在施主结构内的凹部中可选地设置介电侧壁间隔件，以努力防止杂散离子进入施主结构的在横向上邻近凹部的区域中。以下参照图8A至图SE描述这种方法的示例实施方式。
[0085]参照图8A，示出了施主结构500。施主结构500与图2A的施主结构150相似，并包括已通过经构图掩模568中的通孔566而形成在施主结构500的块体材料552中的多个凹部564。经构图掩模568可以包括例如诸如氮化硅(Si3N4)的氮化物材料层。块体材料552可以具有第一主表面554A和相对的第二主表面554B。如图8A所不，凹部564可以形成在第一主表面554中。
[0086]参照图8B，在形成凹部564之后，在掩模568和块体材料552的第一主表面554A(包括凹部564中的露出的横向侧壁表面和底部表面)上可以淀积一个或多个共形材料层。该一个或多个共形材料层可以包括例如一层或多层的介电材料。例如，第一共形层569A可以淀积在掩模568和凹部564中的块体材料552的露出的表面上，并且第二共形层569B可以淀积在第一共形层569A上,如图8B所不。第二共形层569B可以具有与第一共形层569A的材料组成不同的材料组成，从而允许选择性地蚀刻第二共形层569B而不蚀刻第一共形层569A，如下面的讨论。作为非限制性示例，第一共形层569A可以包括例如氧化物材料(诸如氧化硅(SiO2)),第二共形层569B可以包括例如氮化物材料(诸如氮化硅(Si3N4)X
[0087]如图8C所示，可以使用各向异性蚀刻处理来蚀刻第二共形层569B，其可以包括氮化物，从而去除第二共形层569B的横向延伸区域而基本上不去除第二共形层569B的竖直延伸的区域。因此，如图8C所示，仅保留第二共形层569B的设置在凹部564中的横向侧壁上的区域，并且在凹部564内的底部表面和施主结构550的主表面554A上露出第一共形层569A。通过示例而非限制的方式，可以使用干法等离子体蚀刻处理(例如，反应离子蚀刻(RIE)处理)来各向异性地蚀刻第二共形层569B。
[0088]在各向异性地蚀刻第二共形层569B之后，可以使用另一蚀刻处理来去除第一共形层569A (可以包括氧化物)的在凹部564的底部表面露出的部分。例如，可以使用湿法化学蚀刻处理来蚀刻第一共形层569A的露出的区域，得到图8D所示的结构。蚀刻处理还可以去除第一共形层569A的覆盖施主结构550的第一主表面554A的区域。如图8D所示，在凹部564的底部露出块体材料552。在块体材料552在凹部564的底部露出时，如图8D所示，间隔件结构574可以保留在凹部564内的横向侧壁上。这些间隔件结构574可以包括一个或多个共形层569A、569B的部分。
[0089]因此，在凹部564的底部露出块体材料552之后，可以将多个离子沿着离子植入面556植入施主结构550中。可以将离子非均匀地植入施主结构550中，以使得在第一多个区域570 (可以包括无源区域)中形成缺陷，而不将离子植入第二多个区域572 (可以包括有源区域)中。在离子植入处理中，间隔件结构574还可以防止离子通过凹部564中的侧壁进入待转移的材料层560的有源区域572中。图8D所示的离子植入面556可以包括单个植入面，其中大多数离子在施主结构550中沿着单个面设置。换句话说，大多数植入的离子在施主结构550中集中于单个深度。
[0090]参照图SE，植入的离子可以导致在第一多个区域570中沿着离子植入面556形成缺陷558。在离子植入处理之后，可以利用例如蚀刻处理和化学机械抛光(CMP)处理中的一种或者更多种从施主结构550去除一个或多个共形层569A、569B (例如，间隔件结构574)和掩模568 (图8D)的其余部分，以形成图SE所示的结构。图SE所示的结构大致类似于图2B所示的结构，并且还可以如本文先前参照图2C-2G所述地进一步处理。还可以按照本文参照图3A和图3B、图4A和图4B、图5A和图5B、图6A和图6B以及图7A和图7B所述的任何方法形成并采用间隔件结构(像图8D的间隔件结构574)。
【权利要求】
1.一种将半导体材料层从第一施主结构转移至第二结构的方法，该方法包括以下步骤: 将离子植入第一施主结构内，以在第一施主结构内形成由植入的离子限定的大致平坦的弱化区，该大致平坦的弱化区将第一施主结构的所述半导体材料层与第一施主结构的其余部分分离，其中植入的离子的浓度和植入的离子的元素成分中的至少一方在整个大致平坦的弱化区上沿着平行于所述大致平坦的弱化区的至少一个方向上变化； 将所述第一施主结构接合至所述第二结构；以及 沿着所述大致平坦的弱化区使第一施主结构断裂，并留下接合至第二结构的所述半导体材料层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将离子植入第一施主结构内以形成所述大致平坦的弱化区的步骤包括: 通过所述半导体材料层的第一多个区域将相对较高浓度的离子植入第一施主结构内；以及 通过所述半导体材料层的第二多个区域将相对较低浓度的离子植入第一施主结构内。
3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括以下步骤: 选择所述半导体材料层的所述第一多个区域以包括所述半导体材料层的无源区域；以及 选择所述半导体材料层的所述第`二多个区域以包括所述半导体材料层的有源区域。
4.根据权利要求1所述的方法，其中将离子植入第一施主结构内以形成大致平坦的弱化区的步骤包括: 将第一元素成分的离子通过所述半导体材料层的第一多个区域植入第一施主结构内；以及 将不同的第二元素成分的离子通过所述半导体材料层的第二多个区域植入第一施主结构内。
5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括以下步骤: 选择所述半导体材料层的所述第一多个区域以包括所述半导体材料层的无源区域；以及 选择所述半导体材料层的所述第二多个区域以包括所述半导体材料层的有源区域。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，将离子植入第一施主结构内的步骤包括将离子通过经构图掩模中的通孔植入第一施主结构内。
7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤: 在将离子植入第一施主结构内之前，在第一施主结构的主表面中形成凹部；并且其中，将离子植入第一施主结构内的步骤包括将离子通过凹部中的第一施主结构的表面植入第一施主结构内，而不将离子植入第一施主结构的主表面的非凹陷区域中。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，将离子植入第一施主结构内的步骤包括: 执行一个离子植入处理以将第一量的离子在所述大致平坦的弱化区内在整个第一施主结构上以基本均匀的浓度植入第一施主结构内；以及 执行另一离子植入处理以将第二量的离子在所述大致平坦的弱化区内在整个第一施主结构上以变化的浓度植入第一施主结构内。
9.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括以下步骤: 在执行所述一个离子植入处理以将所述第一量的离子植入第一施主结构内之后，在第一施主结构的主表面中形成凹部；并且 其中，执行另一离子植入处理的步骤包括将所述第二量的离子通过凹部中的第一施主结构的表面植入第一施主结构内，而不将所述第二量的离子植入第一施主结构的主表面的非凹陷区域中。
10.一种半导体结构，该半导体结构包括: 第一施主结构，该第一施主结构中具有大致平坦的弱化区，所述大致平坦的弱化区由通过在该第一施主结构内沿着所述大致平坦的弱化区植入的离子限定，该大致平坦的弱化区将第一施主结构的半导体材料层与第一施主结构的其余部分分离，植入的离子的浓度和植入的离子的元素成分中的至少一方在整个所述大致平坦的弱化区沿着平行于所述大致平坦的弱化区的至少一个方向上变化；以及 第二结构，该第二结构接合至第一施主结构的所述半导体材料层。
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中，所述大致平坦的弱化区包括其中具有第一浓度的植入的离子的第一多个区域和其中具有第二浓度的植入的离子的第二多个区域，第二浓度比第一浓度高。
12.根据权利要求10所述的半导体结构，其中，所述大致平坦的弱化区包括:第一多个区域，其中植入的离子具有第一元素成分；以及第二多个区域，其中植入的离子具有与所述第一元素成分不同的第二元素成分。
13.根据权利要求10所述的半导体结构，该半导体结构还包括:第一施主结构内的凹部，其中，在所述大致平坦的弱化区内的沿竖直方向在所述凹部上方的区域中，相对于在所述大致平坦的弱化区内的沿竖直方向在第一施主结构内的横向地位于所述凹部之间的空间上方的区域，植入的离子的浓度和植入的离子的元素成分中的至少一方不同。
14.根据权利要求13所述的半导体结构，所述半导体结构还包括:位于所述凹部内的横向侧壁上的间隔件结构。
15.根据权利要求 10所述的半导体结构，所述半导体结构还包括:位于第一施主结构内的大致平行于所述大致平坦的弱化区延伸的至少一个离子约束层。
【文档编号】H01L21/762GK103828036SQ201280046870
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2012年8月13日 优先权日:2011年9月27日
【发明者】玛丽亚姆·萨达卡, 约努茨·拉杜 申请人:索泰克公司