技术编号:7252860
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体器件包括HEMT(10,20,21,30,31,32)和二极管(60,70)。所述HEMT包括具有GaN层(13)和AlGaN层(14)的衬底(10),所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层,所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层;源极电极(30),所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触;漏极电极(31),所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极,且与所述AlGaN层形成欧姆接触;在所述源极电极和漏极电极之...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。