技术编号：7253133
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术随着半导体装置的高集成化，制造エ艺中所要求的布线、分离带区域的尺寸倾向于微细化。通过光刻技术形成由光致抗蚀剂膜(以下称为“抗蚀剂膜”)构成的线部(Line)以规定的间隔排列而成的图案，将形成的图案用作掩模图案对被蚀刻膜进行蚀刻，由此形成这种微细的图案。关于最近的半导体装置的微细化，甚至要求尺寸为超过光刻技术的分辨率极限。 作为具有超过光刻技术的分辨率极限的尺寸的微细的掩膜图案的形成方法，存在一种所谓的双图案形成法。在双图案形成法中，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。