技术编号：7253339
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种半导体器件制造工艺，其包括在半导体衬底上的替换金属栅极上方形成绝缘芯轴，其中第一栅极(104)具有源极和漏极并且至少一个第二栅极(104’)与所述第一栅极隔离。芯轴隔离物(124)围绕每一绝缘芯轴来形成。所述芯轴和芯轴间隔物包括第一绝缘材料。具有第二绝缘材料的第二绝缘层(126)在晶体管上方形成。一个或多个第一沟槽通过移除所述绝缘芯轴之间的所述第二绝缘材料来形成，从而连至所述第一栅极的所述源极和漏极。第二沟槽通过移除所述第二栅极上方的具有所述...
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