技术编号:7253418
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种形成半导体衬底的方法,其包括在生长过程中在生长衬底上形成13-15族材料的基层,在生长过程中形成覆盖在基层上的具有遮罩区域和缺口区域的掩模,以及在生长过程中有选择地移除在掩模下面的基层的一部分。专利说明[0001]本文涉及形成半导体衬底的方法,尤其是,使用掩模形成半导体衬底的方法。背景技术[0002]半导体基化合物,包括13-15族材料(例如氮化镓(GaN))、三元化合物(例如铟镓氮(InGaN)和镓铝氮(GaAlN))以及甚至四元化合物(AlGaIn...
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