技术编号:7253479
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种改进的多量子阱太阳能电池能够通过确保每一量子阱薄层的带隙与其它这样的层相比是不均一的来实现。通过改变在连续形成的量子阱内的至少两种II族~VI族元素的含量,和/或改变连续的量子阱层的厚度而产生的带隙的渐变提供了跨越可利用的太阳能光谱的较大范围的吸收的增加。专利说明带隙变化的太阳能电池[0001]本发明涉及一种太阳能电池,尤其涉及一种并入了多量子阱的太阳能电池设计。背景技术[0002]半导体太阳能电池(诸如氮化铟镓(InGaN)电池)具有改进现有的太阳能...
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