技术编号:7253584
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在具有被配置为使电流在上电极(10)和下电极(11)之间流通的直立的半导体元件(100,200)的半导体器件中,场截止层(2)包含掺杂有磷或砷的磷/砷层(2a)和掺杂有质子的质子层(2b)。所述磷/砷层(2a)从半导体衬底的背侧起形成至预定的深度。所述质子层(2b)深于所述磷/砷层(2a)。所述质子层(2b)的杂质浓度在所述磷/砷层(2a)内部达到峰值并且在大于所述磷/砷层(2a)的深度逐渐地连续不断地减小。专利说明半导体器件[0001]相关申请交叉引用[...
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