技术编号:7253614
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种非易失性电阻式存储器元件具有在沉积切换层期间或之后利用例如氮等非金属掺杂剂原子进行钝化的新型可变电阻层。在可变电阻层中非金属掺杂剂原子的存在使切换层能够通过较小的切换电流来进行操作同时维持改进的数据保持特性。专利说明具有钝化的切换层的非易失性电阻式存储器元件 [0001] 本发明涉及一种非易失性电阻式存储器元件(nonvolatile resistive memory element),更具体地涉及具有钝化的切换层(passivated swit...
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