技术编号：7253855
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。鳍片FET和用于制造具有凹陷的应力衬里的鳍片FET的方法。一种方法包括提供具有鳍片的SOI衬底，在所述鳍片上形成栅极，在所述栅极上形成偏移隔离物，外延生长膜以合并所述鳍片，在所述栅极周围沉积虚设隔离物，以及使得合并的外延膜凹陷。然后在所述凹陷的合并外延膜上形成硅化物，之后在鳍片FET上沉积应力衬里。通过使用凹陷合并外延工艺，可以形成具有垂直(即，垂直于衬底)硅化物的MOSFET。所述垂直硅化物改善了扩展电阻。专利说明具有凹陷的合并鳍片和用于增强应力耦合的衬...
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