技术编号:7254012
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。常断型HFET包括依次叠层的厚度为t1的未掺杂AlwGa1-wN层(11)、厚度为t2的未掺杂AlxGa1-xN层(11b)和厚度为tch的未掺杂GaN沟道层(11a);与沟道层电连接并且相互隔开地形成的源极电极(21)和漏极电极(22);在源极电极与漏极电极之间在沟道层上形成的厚度为t3的未掺杂AlyGa1-yN层(12);在源极电极与漏极电极之间在AlyGa1-yN层的部分区域上呈台面型形成的厚度为t4的AlzGa1-zN层(13);和在AlzGa1-...
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