技术编号:7254493
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于织构化硅基板表面的方法,包括将所述表面暴露于MDECR等离子体的步骤,该MDECR等离子体由氩气在矩阵分布式电子回旋共振等离子体源中产生,其中等离子体功率在1.5W/cm2至6.5W/cm2的范围内,基板的偏压在100V至300V的范围内。专利说明用于织构化硅基板表面的工艺、结构化基板和包括结构化基板的光伏装置 [0001]本发明涉及一种用于织构化硅基板表面的方法、结构化基板和包括该结构化基板的光伏装置。 背景技术 [0002]在制...
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