技术编号：7254968
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种半导体结构的形成方法和半导体结构，其中，半导体结构的形成方法包括在衬底内形成凹槽，凹槽将衬底分为第一有源区和第二有源区；在第一有源区内形成第一阱区，在第二有源区内形成第二阱区，第一阱区和第二阱区的连接处形成耗尽区；在凹槽底部的第一阱区中进行第一离子注入，在凹槽底部的第二阱区中进行第二离子注入，第一离子注入的类型与第一阱区的类型相同，第二离子注入的类型与第二阱区的类型相同。离子注入后，在凹槽内填充介质层形成隔离结构。本发明的方法缩小了隔离结构的...
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