技术编号:7254969
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,所述半导体器件包括形成有沟槽的半导体衬底。在沟槽中和衬底上形成迁移辅助层。通过从迁移辅助层和半导体衬底迁移材料而在沟槽中形成掩埋层。专利说明[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求2012年7月17日提交的申请号为10-2012-0077779的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。[0003]本发明的示例性实施例涉及一种半导体,更具体而言,涉及一种制造半导体的方法,所述半导体具有被包括在垂直沟槽晶体管的沟道区中的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。