技术编号：7255067
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种三维(3D)存储器装置及其制造方法，该三维存储器装置是根据导电柱阵列与多个图案化导电体层，图案化导体层包括左侧与右侧导电体，而左侧与右侧导体邻接在左侧与右侧界面区中的柱体。在左侧与右侧界面区中的存储器元件由可编程过渡金属氧化物或可编程电阻材料组成，过渡金属氧化物的特征为具有内建自我开关行为。柱体能运用二维译码(two-dimensional?decoding)加以选择，且在多个平面中的左侧与右侧导电体能在第三维度运用译码加以选择，而第三维度...
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