技术编号:7255206
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,属于半导体器件。本发明所提供的上述功率半导体器件中,所述集电极层为锗层或硅锗层。相较于硅层而言,在相同的掺杂浓度下,所述锗层或硅锗层中具有更大的载流子迁移率、更低的接触势垒以及更低的载流子寿命,从而降低了本发明所公开的功率半导体器件的导通压降和关断时间,且不提高所述功率半导体器件的制作成本,即在不提高制作成本的前提下,解决了现有技术中功率半导体器件导通压降大,关断时间长的问题。专利说明[0001]本发明涉及半导体器件,尤其涉及。背景技术[00...
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