技术编号：7255212
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，所述方法包括提供半导体衬底；在衬底上形成虚拟栅极结构；在虚拟栅极结构的侧壁上形成偏移侧壁；在所述虚拟栅极结构两侧的所述衬底中执行LDD离子注入，以形成轻掺杂源漏；在偏移侧壁上形成间隙壁；在虚拟栅极结构两侧的所述衬底中执行源漏离子注入，以形成源漏区；在衬底上执行应力记忆技术步骤；在所述源漏区上外延生长SiC层，以形成抬升的SiC源漏极；在衬底上形成接触孔蚀刻停止层；去除所述虚拟栅极中的多晶硅层，并形成金属栅极；在LDD离子注入或所述源漏离子注入步...
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