技术编号:7255232
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种能够提高元件的耐性的半导体器件。实施方式的半导体器件具备第1半导体层;第2半导体层;第3半导体层,具有第1半导体区域和第2半导体区域沿着相对第1半导体层与第2半导体层的层叠方向垂直的第1方向交替排列的构造;第4半导体层,具有第3半导体区域和第4半导体区域沿着第1方向交替排列的构造;以及第5半导体层,设置于所述第3半导体区域上以及所述第4半导体区域上。第2半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于第1半导体区域中包含的杂质元素的浓度。第3半导体区域中...
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