技术编号:7255565
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种防止图案缺失的方法,尤其是防止掩膜层图案缺失的方法,依次包括在晶圆的一个表面上生长多晶硅层;在多晶硅层表面形成掩膜层;在多晶硅层表面形成的掩膜层上形成厚度在4000埃以上的保护层;去除多余掩膜层;去除保护层。本发明还提供了一种防止图案缺失的晶圆制造方法,依次包括在晶圆上的一个表面上生长多晶硅层;在多晶硅层上形成掩膜层;在掩膜层上形成厚度在4000埃以上的保护层;去除晶圆背面的掩膜层;去除保护层;刻蚀晶圆形成电路图案。本发明提供的方法科学有效...
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