一种防止图案缺失的方法及其晶圆制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种防止图案缺失的方法，尤其是防止掩膜层图案缺失的方法，依次包括：在晶圆的一个表面上生长多晶硅层；在多晶硅层表面形成掩膜层；在多晶硅层表面形成的掩膜层上形成厚度在4000埃以上的保护层；去除多余掩膜层；去除保护层。本发明还提供了一种防止图案缺失的晶圆制造方法，依次包括：在晶圆上的一个表面上生长多晶硅层；在多晶硅层上形成掩膜层；在掩膜层上形成厚度在4000埃以上的保护层；去除晶圆背面的掩膜层；去除保护层；刻蚀晶圆形成电路图案。本发明提供的方法科学有效的避免了图案缺失的问题，尤其是避免了掩膜层图案缺失，而且不会增加工艺时间和生产成本。
【专利说明】一种防止图案缺失的方法及其晶圆制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造方法，尤其涉及一种防止图案缺失的方法。
【背景技术】
[0002]多晶硅步骤是芯片制造过程的重要环节，如图1所示，在现有技术中，这个过程包括在晶圆101 —表面上生长多晶硅层102，然后扩散形成掩膜层103、103’，再生长保护层104，去除晶圆背面所不需要的掩膜层103’，再去除保护层104，最后进行掩膜层和多晶硅层的刻蚀/光刻，形成电路图案。如图1所示，其中的掩膜层103、103’以氮化硅(SiN)为例，保护层104以氧化硅(SiO2)为例进行说明。
[0003]在步骤SI中，在晶圆101的一个表面上形成多晶娃层102,相对于多晶娃层的另一侧成为晶圆101的背面。
[0004]步骤S2中，采用炉管扩散(Diffusion)的方法生成氮化硅掩膜层103、103’，这里，形成的氮化硅的厚度为1400-1600埃。氮化硅掩膜层的作用是为多晶硅层的光刻提供防反射层，使得其覆盖住的部分不被刻蚀，而刻蚀其没有覆盖的部分，从而形成所需的电路图案。由于炉管生长的特点是在晶圆101的正面和背面都生成氮化硅，而背面的氮化硅是不需要的，会产生不必要的应力，所以需要去除。因此，需要在所需要保留的正面氮化硅层103的表面形成保护层，再将背面不需要的氮化硅层103’去除。
[0005]在步骤S3中，通过CVD气相沉积法在正面氮化硅层103的表面形成二氧化硅保护层104。由于CVD方法能够只在晶圆101的一个表面上形成保护层，因而，在该步骤中，不会在晶圆101的背面形成保护层，而暴露出需要去除的氮化硅层103’。
[0006]在接下来的步骤S4中，将晶圆101进行酸洗，去除氮化硅103’。通常采用不与氧化硅反应而只与氮化硅反应的磷酸作为清洗液，将晶圆放入磷酸溶液中浸泡，即可去除所不需要的氮化硅层103’。如上所述的，如果晶圆101正面的氮化硅103没有氧化硅104的保护，会在酸洗步骤一同被去除，这正是氧化硅的作用。在步骤S5中，再去除保护层104。在步骤S6中对晶圆进曝光和刻蚀，形成电路图案。
[0007]如图2A和2B所示，在现有技术中，由于CVD生长方法非常容易产生膜层内颗粒(in-filmparticle) 1100，现有工艺中所产生的SiO2厚度通常只有2000埃，而比较大的膜层内颗粒会纵向贯穿SiO2，并且和SiN层接触，图2A示出了在步骤S3和S4中形成膜层内颗粒的晶圆截面结构示意图。因此，在下一步进行磷酸酸洗去除3102层的时候，磷酸会腐蚀掉膜层内颗粒，然后与SiN接触并腐蚀SiN,形成图案缺失(pattern missing),图2B示出了该膜层内颗粒导致图案缺失的照片，该膜层内颗粒最终导致SiN的腐蚀，甚至晶圆的报废。
[0008]因此提供一种防止膜层内颗粒导致图案缺失的方法具有非常重要的意义。
【发明内容】
[0009]本发明的目的在于提出一种防止图案缺失的方法，能够有效地避免图案缺失(pattern missing)。[0010]为达此目的，本发明采用以下技术方案:
[0011]一种防止图案缺失的方法，依次包括:在晶圆的一个表面上生长多晶硅层；在多晶硅层表面形成掩膜层；在多晶硅层表面形成的掩膜层上形成厚度为4000埃以上的保护层；去除多余掩膜层；去除保护层。其中，掩膜层的厚度在4000埃至6000埃之间，例如，可以是4000埃、4500埃、5000埃、5500埃或6000埃。掩膜层为氮化硅(SiN)层，也可以是氮氧化硅(SiON)层；并且保护层为SiO2层。采用炉管扩散方法在多晶硅层表面和晶圆的背面均生成掩膜层。采用CVD气相沉积方法生成保护层。采用化学机械抛光法去除保护层。
[0012]本发明还提供了一种防止图案缺失的晶圆制造方法，依次包括:在晶圆上的一个表面上生长多晶硅层；在多晶硅层上形成掩膜层；在掩膜层上形成大于4000埃的保护层；去除晶圆背面的掩膜层；去除保护层；刻蚀晶圆形成电路图案。其中，保护层的厚度在4000埃至6000埃之间，例如，可以是4000埃、4500埃、5000埃、5500埃或6000埃。掩膜层为氮化硅或氮氧化硅，并且所述保护层为氧化硅。采用炉管扩散方法生成所述掩膜层。采用CVD气相沉积法生成保护层。将晶圆浸入酸性溶液清洗晶圆的保护层。采用化学机械抛光法去除所述保护层。
[0013]本发明提供的方法，科学有效的避免了图案缺失的问题，尤其是掩膜层图案缺失的问题，而且不会增加工艺时间和生产成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1是现有技术中晶圆加工过程的示意图。
[0015]图2A是现有技术加工晶圆过程中步骤S3、S4产生膜层内颗粒的示意图。
[0016]图2B是现有技术中产生图案缺失的晶圆照片。
[0017]图3是本发明提供的防止图案缺失方法的工艺流程图。
[0018]图4是采用图3的工艺每步骤所得到的晶圆截面结构示意图。
[0019]图5是本发明提供的防止图案缺失的晶圆制造方法流程图。
[0020]图中的附图标记所分别指代的技术特征为:
[0021]101、晶圆；102、多晶硅层；103、晶圆正面掩膜层；103’、晶圆背面掩膜层；104、保护层；1100、膜层内颗粒；
[0022]201、晶圆；202、多晶硅层；203、晶圆正面掩膜层；203’、晶圆背面掩膜层；204、保护层。
【具体实施方式】
[0023]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
[0024]本发明提供了一种防止图案缺失的方法，如图3所示，该方法依次包括以下步骤:
[0025]SlOl:在晶圆的一表面上生长多晶硅层；
[0026]S102:在多晶娃层表面形成掩膜层；
[0027]S103:在多晶硅层表面形成的所述掩膜层上形成厚度为4000埃以上的保护层；
[0028]S104:去除多余掩膜层；[0029]S105:去除保护层。
[0030]其中，所形成的保护层在4000埃至6000埃之间，例如，可以是4000埃、4500埃、5000埃、5500埃或6000埃，这样使得保护膜的厚度大于形成的膜层内颗粒尺寸，达到防止在酸洗过程中酸液接触掩膜层而丢失图案的效果。可以理解的是，该保护层的厚度可以在上述范围之外，只要能够达到其厚度大于所形成的膜层内颗粒尺寸，以防止酸洗过程中酸液接触掩膜层而丢失图案的效果，就都属于本发明的发明精神。
[0031]下面结合图4对该防止图案缺失的方法进行详细描述。
[0032]具体来说，在步骤SlOl中，在晶圆201的一个表面上形成多晶硅层202，该表面为晶圆201的正面，相对于多晶娃层的另一侧成为晶圆201的背面。
[0033]步骤S102中，生成晶圆正面氮化硅掩膜层203和晶圆背面氮化硅掩膜层203’。这里以采用炉管扩散(Diffusion)的方法为例，在晶圆201的正面和背面均形成氮化硅层，其厚度为1400-1600埃。也可以采用其他材料，例如氮氧化硅。其厚度也可以为1400-1600埃之间的任意厚度，如1500埃。
[0034]在步骤S103中，通过CVD气相沉积法在正面氮化硅层203的表面形成二氧化硅保护层204。二氧化硅保护层204的厚度增加至4000-6000埃，这样使SiO2厚度远远超过膜层内颗粒的尺寸，在后续的磷酸酸洗步骤中，磷酸没有机会接触到膜层内颗粒，更无法接触到氮化硅层，因此不会腐蚀氮化硅，避免了 SiN层图案缺失。为了达到这样的效果，二氧化硅保护层的厚度还可以选择其他数值，例如4000埃、4500埃、5000埃、5500埃或6000埃
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[0035]在接下来的步骤S104中，将晶圆201进行酸洗，去除晶圆背面的氮化硅203’。这里采用磷酸作为清洗液，将晶圆放入磷酸溶液中浸泡，即可去除所不需要的氮化硅层203’。如上所述，掩膜层可以采用其他材料制成，例如氮氧化硅，当使用氮氧化硅作为掩膜层材料时，同样也用磷酸作为清洗液。
[0036]步骤S105中，去除晶圆201表面的氧化硅层，也就是保护层204。通常可以采用酸洗的方式进行清洗。对于保护层的清洗过程和所用溶液，属于本领域技术人员常用技术手段，因此不再赘述。然而，由于氧化硅层被增厚，因此如果采用这种酸洗的方式需要更长的加工时间。作为优选，这里还可以采用化学机械抛光(CMP)的方式来去除SiO2，也就是保护层204。利用SiO2保护层204和SiN掩膜层203的研磨应力和对光的放射率不同，CMP设备可以识别出膜层的变化，当氧化硅磨光的时候，机台会自动停止研磨，从而CMP可以通过by-endpoint的方式,在磨掉SiO2后,通过所探测到的信号的变化，自动停止在SiN掩膜层203表面。从而大大减少工艺时间。这样消除了增厚保护层SiO2层所引起的增加了酸洗工艺时间的缺陷。
[0037]如图5所示，本发明还提供了一种采用上述方法加工晶圆的方法。依次包括以下步骤:
[0038]S201:在晶圆上的一表面上生长多晶硅层；
[0039]S202:在多晶硅层上形成掩膜层；
[0040]S203:在所述掩膜层上形成厚度为4000埃以上的保护层；
[0041]S204:去除所述晶圆背面的掩膜层；
[0042]S205:去除所述保护层；[0043]S206:刻蚀晶圆形成电路图案。
[0044]其中所形成的保护层的厚度在4000埃至6000埃之间，可以是4000埃、4500埃、5000 埃、5500 埃或 6000 埃。
[0045]具体来说，在S203生成氧化硅保护层204时，使其厚度增厚至大于有可能形成的膜层内颗粒的尺寸，达到防止在酸洗过程中酸液接触颗粒，并进而接触SiN的效果。而后，在去除保护层的步骤中，同样采用酸式清洗或者CMP化学机械抛光的方式对SiO2层进行清洗。在完成上述过程后，对晶圆进行之后的光影、刻蚀等步骤，来形成所需要的电路图案，最终完成晶圆的制作过程。其中掩膜层还可以是氮氧化硅层。
[0046]本发明所述的技术方案能够有效的避免在图案缺失(pattern missing)的发生，尤其是防止掩膜层图案缺失的发生，由于保护层SiO2膜层内颗粒是一种非常普遍的缺陷，经常造成SiN的腐蚀和晶圆的报废，因而本发明所提供的方法科学有效地避免了掩膜层图案缺失的问题，而且不会增加工艺时间和生产成本。
[0047]如上所述，本领域技术人员应当能够理解，在实施例中仅仅以氮化硅、当氧化硅和氧化硅分别作为掩膜层和保护层为例进行说明，其他材料同样可以被用在晶圆制作的过程中，并且其形成方式也不仅仅限于上述的CVD、炉管扩散等方式。在上述实施例中，对晶圆的清洗方法也仅仅以酸式清洗、CMP光学机械抛光方式清洗为例进行说明，不排除其他方式的清洗。在不背离本发明实质精神和保护范围的情况下，可以对上述方法和过程进行多种改
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【权利要求】
1.一种防止图案缺失的方法，其特征在于，该方法依次包括以下步骤: 在晶圆的一表面上生长多晶娃层； 在所述多晶硅层表面形成掩膜层； 在所述多晶硅层表面形成的所述掩膜层上形成厚度为4000埃以上的保护层； 去除多余掩I吴层； 去除保护层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层厚度为4000至6000埃之间。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为SiN层或SiON层，并且所述保护层为SiO2层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述晶圆浸入酸性溶液去除所述掩膜层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学机械抛光法去除所述保护层。
6.一种防止图案缺失的晶圆制造方法，其特征在于，所述方法依次包括以下步骤: 在晶圆上的一表面上生长多晶硅层； 在多晶硅层上形成掩膜层； 在所述掩膜层上形成厚度为4000埃以上的保护层； 去除所述晶圆背面的掩膜层； 去除所述保护层； 刻蚀晶圆形成电路图案。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述掩膜层厚度为4000埃至6000埃之间。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为氮化硅或氮氧化硅，并且所述保护层为氧化硅。
9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，采用浸入酸式清洗法去除所述掩膜层。
10.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，采用化学机械抛光法去除所述保护层。
【文档编号】H01L21/318GK103972082SQ201310036476
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年1月30日 优先权日:2013年1月30日
【发明者】李健 申请人:无锡华润上华科技有限公司