技术编号:7255729
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。半导体器件包括第一类型半导体层,所述第一类型半导体层被掺杂有N型离子;第二类型半导体层,所述第二类型半导体层被形成在第一类型半导体层之上;以及硅锗SiGe层,所述硅锗SiGe层被形成在第二类型半导体层之上掺杂有P型离子。专利说明[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求2012年6月19日向韩国专利局提交的申请号为10-2012-0065801的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。[0003]本发明的实施例涉及一种...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。