技术编号：7256052
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种实施例集成电路(如，二极管)及其制造方法。实施例集成电路包括形成在具有第一掺杂类型的衬底的上方的具有第一掺杂类型的阱，该阱包括鳍、形成在鳍的第一侧的阱的上方的源极、形成在鳍的第二侧的阱的上方的漏极、以及形成在鳍的上方的栅氧化物，其中，源极具有第二掺杂类型、漏极具有第一掺杂类型、以及鳍的回退区将栅氧化物和源极横向分隔开。集成电路与FinFET制造工艺相兼容。专利说明与FINFET工艺相兼容的二极管结构[0001]本发明总体上涉及半导体领域，更具...
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