技术编号:7256102
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。半导体元件包括一衬底、一第一阱(well)、一第一重掺杂区(heavily?doping?region)、至少一第二重掺杂区、一栅极层、一第三重掺杂区以及一第四重掺杂区。第一阱设置于衬底上,第一重掺杂区设置于第一阱内,第二重掺杂区设置于第一重掺杂区内,栅极层设置于第一阱上,第三重掺杂区设置于衬底上,第四重掺杂区设置于第一阱内。第一重掺杂区、第三重掺杂区及第四重掺杂区具有一第一掺杂型态且彼此分隔开,第一阱及第二重掺杂区有一第二掺杂型态,第一...
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