技术编号:7256265
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底上至少形成栅极结构;蚀刻所述半导体衬底,以在所述栅极结构的两侧形成第一沟槽;在所述栅极结构以及所述第一沟槽的侧壁上形成阻挡层,进而形成第二沟槽;执行湿法蚀刻,以平坦化所述第二沟槽的底部;去除所述阻挡层;在所述第二沟槽中沉积应力层。在本发明中在形成所述第一沟槽后,在所述沟槽的侧壁上形成阻挡层,进而形成第二沟槽,并且对所示第二沟槽的底部表面进行平坦化,降低了所述第二沟槽底部水平面粗糙度,确保了在后续工艺中沉积的应力...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。