技术编号:7256633
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括提供半导体衬底,在衬底中形成有隔离结构,隔离结构将衬底隔离为第一有源区和第二有源区,第一有源区和第二有源区的类型相反;在衬底上形成高K介质层、位于高K介质层上的导电层,将位于第一有源区的导电层定义为第一导电层,位于第二有源区的导电层定义为第二导电层;对第一导电层和/或第二导电层进行功函数调整;进行功函数调整后,图形化第一导电层、第二导电层和高K介质层,形成位于第一有源区的第一栅极及位于第一栅极下的第一高K栅介质层,位于第二有源区的第二栅极及位于第...
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