技术编号:7256970
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,其中,所示半导体结构的形成方法包括提供衬底,所述衬底表面具有介质层,所述介质层内具有开口;在所述介质层表面、所述开口的侧壁和底部表面形成第一复合阻挡层,所述第一复合阻挡层与介质层相对一面的材料不含氮元素;在所述第一复合阻挡层表面形成第二氮化钽层、以及位于所述第二氮化钽层表面的第二钽层;在所述第二钽层表面形成种子层;在所述种子层表面形成填充满所述开口的导电层;去除所述介质层顶部表面的导电层、种子层、第二钽层、第二氮化钽层和第一复合阻挡层,所述开口内的种...
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