技术编号:7256971
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,所述浅沟槽隔离结构的形成方法包括提供半导体衬底,所述半导体衬底表面具有掩膜层;图形化所述掩膜层,在所述掩膜层内形成开口,所述开口暴露出半导体衬底的部分表面;沿所述开口刻蚀半导体衬底,形成沟槽;在所述沟槽内形成第一介质层,所述第一介质层的表面低于半导体衬底的表面;在所述沟槽两侧未被介质层覆盖的侧壁表面形成外延层,所述外延层暴露出第一介质层的部分表面;在所述沟槽内形成第二介质层,所述第二介质层填充满所述沟槽。所述浅沟槽隔离结构的形成方法,可以提高所述浅沟...
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