技术编号:7256987
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种功率半导体设备。该功率半导体设备包括第二导电型第一结终端扩展(JTE)层被形成为使得该第二导电型第一JTE层与第二导电型阱层的一侧相接触;第二导电型第二JTE层,与所述第二导电型第一JTE层形成在同一直线上,并且被形成为使得该第二导电型第二JTE层在所述基底的长度方向与所述第二导电型第一JTE层相隔离;以及多晶硅层,被形成为使得与所述第二导电型阱层和所述第二导电型第一JTE层的上部相接触。专利说明功率半导体设备[0001]相关申请的交叉引用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。