技术编号:7257180
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种,包括以下步骤提供半导体衬底,所述半导体衬底包括PMOS区域和NMOS区域,所述PMOS区域上形成有PMOS栅极,在所述PMOS栅极的侧壁上形成第一氧化硅层,在所述第一氧化硅上形成第一氮化硅层,在所述第一氮化硅层上形成第二氧化硅层,在所述第二氧化硅层上形成第二氮化硅层,在所述PMOS区域刻蚀形成凹陷,在所述凹陷中形成锗硅应力层,除去第二氧化硅层和第二氮化硅层,其中,所述第一氧化硅层的厚度大于40埃。在本发明提供的中,增大了第一氧化硅层的厚度...
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