技术编号:7258111
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种存储器元件的形成方法。提供基底,基底具有至少二单元区与至少一周边区,周边区位于单元区之间。在基底上依序形成目标层、牺牲层及第一掩模层,其中第一掩模层具有位于单元区中的多个第一掩模图案及位于周边区中的多个第二掩模图案。以第一掩模层为掩模,移除部分牺牲层,以形成多个牺牲图案。在各牺牲图案的各侧壁上形成间隙壁。移除牺牲图案。至少移除周边区中的间隙壁。在单元区上形成第二掩模层。以第二掩模层与剩余的间隙壁为掩模,移除部分目标层,以在单元区上形成多个字线,且在邻近...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。