技术编号:7258257
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在第一腔室中接收半导体晶圆,第一腔室处于第一压力水平。半导体晶圆处于第一温度,并通过第一加热模块将半导体晶圆加热至第二温度,而第一腔室的压力水平从第一压力水平降低至第二压力水平。然后,将半导体晶圆提供至维持第三压力水平的第二腔室的支承元件,第三压力水平比第一压力水平更接近于第二压力水平;支承元件处于第三温度,第三温度比第一温度更接近于第二温度。专利说明[0001]本发明涉及用于半导体晶圆温度控制的系统和方法,例如协助降低半导体晶圆的热膨胀的这类系统和方法。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。