半导体晶圆的温度控制系统及方法
【专利摘要】在第一腔室中接收半导体晶圆，第一腔室处于第一压力水平。半导体晶圆处于第一温度，并通过第一加热模块将半导体晶圆加热至第二温度，而第一腔室的压力水平从第一压力水平降低至第二压力水平。然后，将半导体晶圆提供至维持第三压力水平的第二腔室的支承元件，第三压力水平比第一压力水平更接近于第二压力水平；支承元件处于第三温度，第三温度比第一温度更接近于第二温度。
【专利说明】半导体晶圆的温度控制系统及方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于半导体晶圆温度控制的系统和方法，例如协助降低半导体晶圆的热膨胀的这类系统和方法。
【背景技术】
[0002]半导体晶圆可在暴露于环境温度和环境压力水平的同时从一个工具转移到另一个工具。工具可在腔室内处理或检查半导体晶圆，所述腔室可维持不同于环境温度和环境压力水平的温度和压力水平。
[0003]当处理或检查半导体晶圆时，半导体晶圆通常定位于卡盘上。卡盘的温度高于环境温度，且当半导体晶圆置于卡盘时，半导体晶圆经历热膨胀。
[0004]此热膨胀增加了与任何处理或检查工艺相关的不确定水平，且可能降低所述检查或处理的速度和准确性。在检查期间，可对半导体晶圆的较大区域进行扫描，以便考虑到热膨胀。
[0005]此外，当需要检查工具提供具有缺陷集中在图像尺寸10%之内的级别图像(classimage)时，在缺陷检测与级别图像采集之间的热膨胀增加了缺陷中心的不确定性。
[0006]在图像采集期间存在的热膨胀也可能导致框架的失去对准，相当于放大了斑点。此影响取决于膨胀斜率，且在半导体晶圆刚装载之后在晶圆边缘更严重。
【发明内容】
[0007]本发明人已经确定存在对用于降低半导体晶圆热膨胀的系统和方法的需要。根据本发明的一个实施方式，提供一种方法，所述方法可包括:当第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第一温度时，在第一腔室接收半导体晶圆；通过第一加热模块将半导体晶圆加热至第二温度，且将第一腔室的压力水平降低至第二压力水平；以及当第二腔室维持第三压力水平时，将半导体晶圆提供至第二腔室的支承元件；其中支承元件处于第三温度，所述第三温度比第一温度更接近于第二温度，且第三压力水平比第一压力水平更接近于第二压力水平。
[0008]根据本发明的一个实施方式，可提供一种系统，且所述系统能够执行所述方法及所述方法的步骤的任何组合。系统可包括第一腔室，所述第一腔室被配置以当第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第一温度时接收半导体晶圆；其中第一腔室被配置以将第一腔室的压力水平降低至第二压力水平；第一加热模块，被配置以将半导体晶圆加热至第二温度；第二腔室，第二腔室被配置以在维持第三压力水平的同时接收半导体晶圆，且将半导体晶圆置放于支承元件上；其中支承元件处于第三温度，所述第三温度比第一温度更接近于第二温度，且其中第三压力水平比第一压力水平更接近于第二压力水平。
[0009]系统可包括第一腔室，所述第一腔室被配置以当第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第一温度时从第一转移单元接收半导体晶圆，其中第一腔室包括第一压力控制单元，所述第一压力控制单元被配置以将第一腔室的压力水平降低至第二压力水平；第一加热模块，所述第一加热模块包括由加热控制器控制的至少一个加热元件，至少一个温度传感器的温度读数馈送给所述加热控制器，其中至少一个加热元件被配置以将半导体晶圆加热至第二温度；第二转移单元，被配置以在所述系统的第一腔室与第二腔室之间转移半导体晶圆，其中第二腔室包括支承元件，所述支承元件被配置以在第二压力控制单元维持第三压力水平且支承元件处于第三温度的同时接收半导体晶圆，所述第三温度比第一温度更接近于第二温度，且其中第三压力水平比第一压力水平更接近于第二压力水平。
[0010]第二温度和第三温度可基本上彼此相等。另外，第二压力水平和第三压力水平可基本上彼此相等。第一腔室可为装载锁定腔室，且第二压力水平可为真空压力水平。
[0011]所述方法可包括通过第一加热模块接触半导体晶圆的背部，并在接触半导体晶圆的同时通过第一加热模块来加热半导体晶圆。
[0012]所述方法可包括通过第二加热模块来加热半导体晶圆的上部。
[0013]所述方法可包括在第二加热模块不接触半导体晶圆的同时通过第二加热模块来加热半导体晶圆。
[0014]所述方法可包括通过耦接至第一加热模块的提升模块，从第一腔室的另一个元件处提升半导体晶圆，并通过第一加热模块加热半导体。
[0015]其他元件可为预对准器，且第一加热模块可具有围绕预对准器的中心孔。
[0016]所述方法可包括在开始降低第一腔室的压力水平之前，开始加热半导体晶圆。
[0017]所述方法可包括通过第一加热模块的加热元件来加热半导体晶圆，其中加热元件定位于导热罩壳之内，并维持超过第二压力水平的压力水平。
[0018]所述方法可包括响应于对环境温度和第二腔室支承元件温度中的至少一个温度的至少一个感测尝试的结果来确定加热半导体晶圆的方式。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]在说明书的结尾部分特别指出了且清楚地主张了视为本发明的主题。然而，通过在与附图一同阅读的同时参阅以下详细描述来更好地了解关于本发明的组织和操作方法、连同其目的、特征和优点，在附图中:
[0020]图1图示根据本发明的一个实施方式的方法；
[0021]图2A至图2E图示根据本发明的不同实施方式在半导体晶圆检查工艺中执行不同步骤的系统；
[0022]图3A至图3B图示根据本发明的不同实施方式的第一腔室和半导体晶圆；
[0023]图4A和图4B图示根据本发明的一个实施方式的系统不同部分；和
[0024]图5A至图5C图示根据本发明的不同实施方式的第一模块元件罩壳的上部和下部。
[0025]应理解，为简单和清楚的说明，在图式中所展示的元件未必按比例绘制。例如，为了清楚，一些元件的尺寸相对于其他元件进行了夸大。另外，在被认为适当的情况下，元件符号可在图式之间重复以表示相应或类似元件。
【具体实施方式】
[0026]在以下的详细描述中，阐明了许多的具体细节以便提供对本发明的彻底了解。然而，本领域技术人员应了解在没有这些具体细节的情况下也可实施本发明。在其他情况下，众所周知的方法、过程和部件未详细描述以免模糊本发明。
[0027]因为本发明所说明的实施方式大多可使用本领域技术人员所知的电子器件和电路实现，所以除了视为对本发明基本概念的了解和理解所必须的，将不解释任何更大程度上延伸的细节，以便不困惑或分散本发明的讲解。
[0028]图1图示根据本发明的一个实施方式的方法100。
[0029]方法100可以步骤110开始，步骤110将半导体晶圆提供至第一腔室。半导体晶圆可处于第一温度，所述第一温度可为环境温度。第一温度可为固定半导体晶圆的盒的温度。半导体晶圆可通过第一机械手从晶圆盒取出，并提供给预对准器或第一腔室的其他支承元件。支承元件被配置以支持半导体晶圆并且也可移动所述半导体晶圆。
[0030]步骤110可包括在第一腔室中维持第一压力水平的同时通过第一腔室接收半导体晶圆。此第一压力水平可为大气压力水平。
[0031]步骤110紧接着可为步骤120和步骤130。这些步骤可以并行、重叠方式、部分重叠方式或非重叠方式来执行。这些步骤可同时或在不同时间开始，并可同时或在不同时间结束。
[0032]步骤120可包括通过第一加热模块将半导体晶圆加热至第二温度。加热工艺可包括维持半导体晶圆的温度直到将半导体晶圆提供给第二腔室。
[0033]根据本发明的一个实施方式，第二温度可高于第三温度。此至少可部分地协助补偿半导体晶圆从第一腔室转移至第二腔室期间可能的温度降低。温度的降低也可归因于半导体晶圆加热方式的改变，此改变可在转移之前或转移期间引入。例如，如果半导体晶圆在被第一加热模块接触时加热，并且如果所述接触在半导体晶圆转移至第二腔室之前停止，那么这样的改变可发生。
[0034]由于热转移的考虑，在压力水平达到第二压力水平之前开始加热半导体晶圆是有益的，但不是必须这样。
[0035]在第二腔室维持第三压力水平且第二腔室的支承元件处于第三温度的同时，将半导体晶圆转移至第二腔室。
[0036]第三温度比第一温度更接近于第二温度。第三压力水平比第一压力水平更接近于第二压力水平。
[0037]第二温度和第三温度可基本上彼此相等。第二压力水平和第三压力水平可基本上彼此相等。第一腔室可为装载锁定腔室。第二压力水平和第三压力水平可为真空压力水平。
[0038]应注意，术语第一温度、第二温度和第三温度是用来区分这些温度的。第一温度、第二温度和第三温度的值可随着时间改变。例如，环境温度可改变，并且由于支承元件移动或支承元件的组件移动而引起的加热，使得第二腔室支承元件的温度可改变。
[0039]步骤120可包括步骤121、步骤122、步骤123和步骤124中的至少一个，都在以下论述。
[0040]步骤121可包括通过第一加热模块接触半导体晶圆的背部，以及在接触半导体晶圆的同时通过第一加热模块来加热半导体晶圆。
[0041]所述加热可在接触之前或接触之后开始，并可在接触期间、接触结束之后或一旦半导体晶圆与第一加热元件互相间隔开接触结束就停止。可通过向半导体晶圆移动第一加热模块，通过向第一加热模块移动半导体晶圆，或者这两者来实现所述接触。
[0042]步骤122可包括通过第二加热模块来加热半导体晶圆的上部。所述加热可以非接触的方式完成，例如其中所述加热通过辐射热完成。
[0043]另外或替代地，第二加热模块可接触至少一部分的半导体晶圆。所述接触可发生于半导体晶圆的边缘、在划线处等等。由于污染问题，仅接触背部可能是更有益的。
[0044]步骤123可包括通过耦接至第一加热模块(或第一加热模块一部分)的提升模块，将半导体晶圆从第一腔室的支承元件提升，以及通过第一加热模块加热半导体。
[0045]第一腔室的支承元件可为预对准器，且第一加热模块可具有围绕预对准器的中心孔，以便半导体晶圆的垂直移动足够将半导体晶圆从预对准器分离，并定位在预对准器以上从而接触第一加热模块。
[0046]应注意，第一加热元件可具有环形或可包括多个间隔开的区段，所述区段能接触半导体晶圆并能在预对准器上方提升半导体晶圆。
[0047]第一腔室可降低第二压力水平的压力水平，并且第一加热模块可包括一个或多个加热元件，所述一个或多个加热元件与第二压力水平并不兼容。例如，第一加热模块的一个或多个加热元件在为真空的第二压力水平下工作是不适当的。这样可简化并降低这些一个或多个加热元件的成本。这些一个或多个加热元件可位于导热的罩壳(或具有至少一个导热部分)中，所述罩壳在向半导体晶圆导热的同时维持第一加热模块内的压力。
[0048]因此，步骤120可包括通过第一加热模块的加热元件来加热半导体晶圆的步骤124，其中加热元件定位于导热的罩壳之内，并维持超过第二压力水平的压力水平。
[0049]步骤130可包括将第一腔室的压力水平降低至第二压力水平。第二压力水平可为真空水平。所述第二压力水平可等同于或基本上等于通过第二腔室维持的第三压力水平，半导体晶圆在所述第二腔室中进行检查或处理。
[0050]图1中虚线的使用用于表示在步骤130处压力水平的降低可在步骤120开始之前开始，可与步骤120的初始化并行开始，和/或可在步骤120开始之后开始。在将半导体晶圆提供至第二腔室之后、接收回半导体晶圆且密封第一腔室和第二腔室之间的开口之后，可维持第二压力水平。
[0051]紧接着步骤120和步骤130可为步骤140，所述步骤140将半导体晶圆从第一腔室转移到第二腔室支承元件。所述步骤140可通过第二机械手或其他转移模块完成。第二腔室的支承元件可为卡盘。
[0052]步骤140可包括(或于步骤140执行前)从提升位置降下半导体并将半导体置放于第一腔室的支承元件上。或者，半导体晶圆可在第一加热模块支承的情况下拿取。
[0053]加热工艺可在半导体晶圆进入第一腔室之前响应于半导体温度(例如，响应于环境温度或响应于晶圆固定晶圆盒的温度)，且另外或替代地，响应于第二腔室支承元件的温度(例如，第三温度)。加热工艺目的在于降低这些温度之间的差距，且当差距较小时，可应用较不强劲的加热工艺。
[0054]此举通过步骤150和步骤160说明:步骤150是感测第一温度、第二温度和第三温度中至少一个温度，且步骤160是响应于对环境温度和第二腔室支承元件温度中的至少一个温度的至少一个感测尝试结果来确定加热半导体晶圆的方式。步骤160被示出紧接着步骤 120。[0055]图2A至图2E图示根据本发明不同实施方式的在半导体晶圆检查工艺中执行不同步骤的系统200。
[0056]图2A图示当半导体晶圆10位于晶圆盒20处时且由诸如第一机械手30的第一转移单元所接触的系统200。
[0057]图2B图示当半导体晶圆10定位于诸如第一腔室40的预对准器60的支承单元顶部时的系统200。第一机械手30已经完全将半导体晶圆10从所述盒转移到第一腔室40。
[0058]图2C图示当半导体晶圆10定位于第一加热模块210顶部时的系统200，第一加热模块210将半导体晶圆10提升于预对准器60上方。
[0059]图2D图示当半导体晶圆10定位于预对准器60顶部，且在第一加热模块210降下之后，同时半导体晶圆10由预对准器60支承时的系统200。同样展示了第二转移单元，诸如接触半导体晶圆10的第二机械手70。
[0060]图2E图示当半导体晶圆10定位于第二腔室50的诸如卡盘80的支承单元顶部时的系统200。第二机械手70被展示为完成半导体晶圆10从第一腔室到第二腔室的转移。
[0061]只要所述处理或检查完成，图2A至图2E中所图示的步骤中的至少一些就被反向。例如，第一机械手30和第二机械手70可将半导体晶圆从第二腔室50转移至第一腔室40，以及从第一腔室40转移到所述盒。
[0062]第一加热模块210可被配置以将半导体晶圆加热至第二温度。
[0063]第二腔室50可被配置以在维持第三压力水平的同时接收半导体晶圆10，并将半导体晶圆10置放于诸如卡盘80的支承元件上。
[0064]在卡盘80接收半导体晶圆时，稍微在接收半导体晶圆之前，立即接收半导体晶圆之后，或靠近半导体晶圆接收时间的任何一时间点处，卡盘80可处于第三温度。
[0065]第三温度可比第一温度更接近于第二温度，且第三压力水平可比第一压力水平更接近于第二压力水平。
[0066]第二温度和第三温度可基本上彼此相等，并且第二压力水平和第三压力水平可基本上彼此相等，
[0067]因此，第一腔室40可被配置以减少环境状态与存在于第二腔室50中的状态之间的差异。
[0068]第一腔室40可执行至少一个附加功能，诸如将半导体晶圆对准到要求位置和/或方向，读取压印于半导体晶圆上的信息以及表示半导体晶圆的至少一个性能等等。对准可发生在半导体晶圆加热之前、提升之前、加热之后或降下之后。半导体晶圆的提升可设计成不旋转半导体晶圆或不以导致半导体晶圆未对准的方式移动半导体晶圆。因而，半导体晶圆的移动仅限于垂直移动。
[0069]半导体晶圆可通过至少一个加热模块加热。零个或多个加热模块可接触半导体晶圆。零个或多个加热模块可在不接触半导体晶圆的情况下对半导体晶圆加热。
[0070]加热模块可在接触半导体晶圆之前、仅在接触半导体晶圆期间开始加热半导体晶圆，或可在加热模块停止接触半导体晶圆之后停止对半导体晶圆的加热。
[0071]每一个加热模块可独立于其他加热模块来控制，但应用于不同加热模块之间的加热之间可存在依属。
[0072]一个或多个加热模块210和加热模块230在一个或多个加热循环期间可应用相同的加热参数，但一个或多个加热参数可随着时间而变化。加热参数可包括目标温度、加热期间消耗的功率值或电流等等。加热可以连续或非连续方式应用。加热参数可通过加热控制器260来设置。
[0073]第一腔室40可为装载锁定腔室。第一腔室40可包括第一开口 41、第二开口 42、诸如预对准器60之类的第一支承元件、第一加热模块231和第二加热模块230。任何上述提到的系统可包括诸如第一机械手30和第二机械手70的第一转移单元和第二转移单元、结构元件240、缸体(图2C中的所述缸体90)和可通过结构元件240固定到第一腔室40的电动机220。
[0074]第二腔室50可为检查腔室、制造工艺腔室等等。
[0075]第一腔室40也包括被配置以将第一腔室的压力水平降低至第二压力水平的第一压力控制单元49。第二腔室50可包括被配置以将第一腔室的压力水平降低至第二压力水平的第二压力控制单元59。这些压力控制单元的任一个可包括泵(诸如真空泵)、压力水平传感器(未展示)、管道、密封元件等等。
[0076]腔室40与腔室50可共享诸如开口 42的一个或多个开口，只要满足预定状态，例如当获得压力水平平衡且检查或制造工艺可开始时，开口就可有选择地打开(并容许半导体晶圆10从所述开口转移)。
[0077]图2A至图2E也图示了不同的温度传感器:第一加热模块温度传感器211、第二加热模块温度传感器231、卡盘温度传感器81和环境温度传感器281。这些温度传感器连接至温度控制器260。温度控制器260可基于这些温度传感器的一个或多个读数来控制加热工艺。例如，环境温度与卡盘温度之间较低的差距可产生更适度的加热工艺。
[0078]如上所述，半导体晶圆10可提高至预对准器60上方，以便确保半导体卡盘10与第一加热模块210之间的接触。第一加热模块210的下部可高于预对准器60的顶部(如在图2C和图3A中所图示)或在预对准器60的顶部以下(如在图3B中所图示)。
[0079]第二加热模块230可定位于半导体晶圆10上方，并可通过接触或仅仅辐射非接触方式来对半导体加热。
[0080]第一加热模块210和第二加热模块230可以部分重叠方式或以非重叠方式同时加热半导体晶圆10。例如，第二加热模块230可在半导体晶圆10被提高之前对半导体晶圆加热，并且另外或替代地，在半导体晶圆10被降低之后对其加热，同时第一加热模块210可同时或在其他时段加热半导体晶圆10。
[0081]第二腔室50可在半导体晶圆正被处理、检查、测量(计量)及类似的同时维持真空。
[0082]第一腔室40被配置以当第一腔室40处于第一压力水平且半导体晶圆处于第一温度时接收半导体晶圆。第一腔室40被配置以将第一腔室的压力水平降低至第二压力水平。第一压力水平可为大气(环境)压力水平。在将半导体晶圆提供给第二腔室50之前，第一腔室40可尝试执行与第二腔室40的压力平衡。
[0083]图3A至图3B图示根据本发明不同实施方式的第一腔室40和半导体晶圆10。
[0084]图3A至图3B图示包括缸体90和诸如电动机220的提升元件的提升模块,所述提升模块可提升第一加热模块210,以便将第一加热模块210从低于预对准器60顶部的较低位置提升至较高位置，在较高位置处第一加热模块接触半导体晶圆10并将半导体晶圆提升至预对准器60的顶部以上。第一加热模块210可具有围绕预对准器60并容许第一加热模块从较低位置到较高位置垂直移动的孔214。
[0085]根据本发明的一个实施方式，第一加热模块210和第二加热模块230中的至少一个包括与第二压力水平并不兼容的加热元件，例如这些一个或多个加热元件与真空环境并不兼容。尽管如此，这些一个或多个加热元件可封闭在罩壳中，所述罩壳可转移热量但维持罩壳内空间与罩壳外部之间的压力差。
[0086]因而，在第一腔室50可维持真空压力水平的同时罩壳可维持大气压力水平。这些压力差可降低加热元件的成本，并可协助检测罩壳的泄漏，因为所述泄漏将导致易于检测的第一腔室压力水平的改变，从而加速所述泄漏的修复工艺。图3A图示第一加热模块210的罩壳包括下部218和上部。
[0087]从本发明的一个实施方式到另一个实施方式，加热元件数目和他们的形状及尺寸是不同的。第一加热模块的一个或多个加热元件可围绕第一加热模块210的孔来覆盖半导体晶圆的整个背部，但不是必须这样的。
[0088]图3A和图3B中第一加热模块的加热元件212的数目和尺寸与第二加热模块230的加热元件的数目和尺寸是彼此不同的。
[0089]图3A与图3B图示第一腔室40中的开口 43，开口 43可容许加热元件232和温度传感器231的控制线、功率线和温度读数线的通过。这些附图也图示了在第一腔室40中形成的开口 45，用来容许活塞90的控制线、功率线和温度读数线从所述开口通过。电动机220可被维持在大气压力，并可通过柔性波纹管221隔绝于第一腔室40的内部。
[0090]图5A至图5C图示根据本发明不同实施方式的第一加热模块210的罩壳的上部217和下部218。图5A为上部217的俯视图。图5B为下部218的仰视图。图5C为上部217的内表面的仰视图。图5C也图示了密封带219，当罩壳上部和下部彼此紧固时，密封带219可协助密封罩壳。这些图式所图示的上部和下部为具有中心孔214、其他较小孔、“老鼠咬痕(mouse bite)”和切割边缘，并具有适合半导体晶圆的形状和尺寸，以便除了孔214和一些其他的小区域外，半导体晶圆的所有部分都由第一加热模块210加热。
[0091]根据本发明的另一个实施方式，通过不同于第一腔室的装置，将半导体晶圆的温度设置为要求温度(要求温度可等于第二温度，或高于第二温度)。第一腔室可具有比先前所说明的实施方式中的半导体温度控制的较不明显的部分，并且也根本不影响温度，仅仅维持半导体晶圆等等的温度。在这种情况下，第一腔室的一个或多个加热元件(如果所述加热元件存在)可能不接触半导体晶圆。所述装置可为加热装置、冷却装置，所述装置可被包括在输送半导体晶圆的盒内，或不同于这样的盒内。
[0092]根据本发明的一个实施方式，提供了一种方法且所述方法可包括:通过不同于第一腔室的装置将半导体晶圆加热至第二温度，当第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第二温度时，在第一腔室接收半导体晶圆；将第一腔室的压力水平降低至第二压力水平；以及当第二腔室维持第三压力水平时，将半导体晶圆提供至第二腔室的支承元件；其中支承元件处于第三温度；其中第三温度比第一温度更接近于第二温度；且其中第三压力水平比第一压力水平更接近于第二压力水平。
[0093]所述方法可包括通过第一腔室稍微改变半导体装置的温度。
[0094]可提供根据此实施方式的一种系统。所述系统可能包括或可能不包括将晶圆温度设置成第二温度的装置。所述系统可包括:(a)第一腔室，被配置以当第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第二温度时接收半导体晶圆；其中第一腔室被配置以将第一腔室的压力水平降低至第二压力水平；(b)第二腔室，被配置以在维持第三压力水平的同时接收半导体晶圆，且将半导体晶圆置放于支承元件上；其中支承元件处于第三温度。第三温度比第一温度更接近于第二温度，且第三压力水平比第一压力水平更接近于第二压力水平。
[0095]在上文说明中，已经参考本发明实施方式的具体实例描述了本发明。然而，显而易见的是，可在其中进行不同的修改和改变，而不脱离所附权利要求书中所阐明的本发明广泛的精神和范畴。
[0096]另外，如果在说明书中和在权利要求书中有术语“前部”、“背部”、“顶部”、“底部”、“上方”、“下方”等等，那么所述术语是用于描述目的，而不一定用于描述固定的相对位置。应了解，这样使用的术语在适当情况是可互换，以使得本文描述的本发明实施方式(例如)能够在其他方向操作，而不仅是在本文所说明或描述的方向操作。
[0097]如本文论述的连接可为任何类型的连接，所述连接适合于将信号转移出或者转移入各个节点、单元或装置，例如经由中间装置转移。因此，除非暗示或指定，否则连接可为(例如)直接连接或间接连接。所述连接可参考单个连接、数个连接、单向连接或双向连接来说明或描述。然而，不同的实施方式可改变所述连接的实施。例如，可使用独立单向连接而不使用双向连接，反之亦然。同时，数个连接可由单个连接代替，所述单个连接串行地或以时分多路传输方式来传输多个信号。同样地，承载多个信号的单个连接可分离成承载这些信号子集的各种不同连接。因此，存在许多用于转移信号的选择。
[0098]尽管已经在实例中描述了具体导电性类型或电位极性，但应理解，导电性类型和电位极性是可以反向的。
[0099]本文所描述的每一个信号可设计成正逻辑或负逻辑。在负逻辑信号的情况下，信号是低电平有效，其中逻辑真状态对应于逻辑电平O。在正逻辑信号的情况下，信号是高电平有效，其中逻辑真状态对应于逻辑电平I。注意，本文所描述的任何信号可设计成负逻辑或正逻辑信号。因此，在替代的实施方式中，描述为正逻辑信号的那些信号可当作负逻辑信号来实现，且描述为负逻辑信号的那些信号可当作正逻辑信号来实现。
[0100]此外，当关于使信号、状态位或类似设备分别成为其逻辑真或逻辑假状态时，本文使用术语“有效”或“置位”和“无效”(或“失效”或“清零”)。如果逻辑真状态为逻辑电平1，那么逻辑假状态为逻辑电平O。并且，如果逻辑真状态为逻辑电平0，那么逻辑假状态为逻辑电平I。
[0101]本领域技术人员将认识到，逻辑区块之间的边界仅仅是说明性的，且替代的实施方式可合并逻辑区块或电路元件，或对于不同的逻辑区块或电路元件施加替代的功能分解。因而，应了解，本文所描绘的架构仅仅是示例性的，并且事实上可实现获得相同功能的许多其他构架。
[0102]获得相同功能的任何器件配置是有效地“相关”，以便获得所需功能。因此，本文任何两个器件相结合来获得特定功能可视为彼此“相关”，以便获得所需功能，而不论架构或中间器件如何。同样地，这样相关的任何两个器件也可视作彼此“可操作连接”或“可操作耦接”以获得所需功能。
[0103]此外，本领域技术人员将承认以上所描述操作之间的边界仅仅是说明性的。多个操作可结合入单个操作中，单个操作可分布在附加操作中，且所述操作在时间上至少可部分重叠执行。另外，替代的实施方式可包括特定操作的多个实例，并且操作的顺序可随着不同的其他实施方式而更改。
[0104]又例如，在一个实施方式中，所说明的实例可由位于单个集成电路或相同装置之内的电路来实现。或者，实例可由任何数目的彼此以适当方式相互连接的独立集成电路或独立装置来实现。
[0105]又例如，实例或实例的部分可由物理电路或可转变为物理电路的逻辑表示的软件或代码表示来实现，诸如用任何适当类型的硬件描述语言。
[0106]同时，本发明并不限于在非可编程硬件上实现的物理装置或单元，且也可应用于通过根据适当程序代码操作而能够执行所需装置功能的可编程装置或单元，诸如大型计算机、微型计算机、服务器、工作站、个人计算机、笔记本计算机、个人数字助理、电子游戏机、汽车和其他嵌入式系统、移动电话和各种其他无线装置，在本申请中统称为“计算机系统”。
[0107]然而，其他修改、变化和替代也是可能的。因此，说明书和图式被视为说明性的而非限制性的意义。
[0108]在权利要求书中，置放在括号之间的任何附图标记将不会解释为限制权利要求。单词“包含”并不排除除了那些列在权利要求上的元件之外的其他元件或步骤的存在。此夕卜，本文所使用的术语“一”或“一个”被定义为一个或多个而不是一个。同时，权利要求书中诸如“至少一个”和“一个或多个”介绍性短语的使用，不应该解释为暗示通过不定冠词“一”或“一个”的另一个权利要求元件的引入将包含所述被介绍权利要求元件的任何特定权利要求限制成仅包含一个所述元件的发明，即使当同一权利要求包括介绍性短语“一或多个”或“至少一个”及诸如“一”或“一个”的不定冠词时也如此。这同样适用于定冠词的使用。除非另有说明，诸如“第一”和“第二”的术语用于区别所述术语描述的元件。因而，这些术语未必意味着表示所述元件时间上或其他的优先。仅有的事实是，在彼此不同的权利要求中所列举的某些措施并不表示这些措施的结合不能被有利使用。
[0109]尽管本发明的某些特征已经在本文中说明并描述，但是本领域普通技术人员现可想到许多修改、替换、改变及同等操作。因此，应了解，所附权利要求书意味着涵盖落入本发明真实精神内所有的这些修改和改变。
【权利要求】
1.一种方法，所述方法包括: 在第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第一温度时，在所述第一腔室接收所述半导体晶圆； 通过第一加热模块将所述半导体晶圆加热至第二温度，且将所述第一腔室的所述压力水平降低至第二压力水平；以及 将所述半导体晶圆提供至第二腔室的支承元件，其中所述第二腔室维持第三压力水平，所述第三压力水平比所述第一压力水平更接近于所述第二压力水平，且所述支承元件处于第三温度，所述第三温度比所述第一温度更接近于所述第二温度。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二温度和第三温度基本上彼此相等，所述第二压力水平和第三压力水平基本上彼此相等，所述第一腔室为装载锁定腔室，且所述第二压力水平为真空压力水平。
3.如权利要求1所述的方法，其中加热所述半导体晶圆包括通过所述第一加热模块来接触所述半导体晶圆的背部，且在接触所述半导体晶圆的同时通过所述第一加热模块来加热所述半导体晶圆。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括通过第二加热模块来加热所述半导体晶圆的上部。
5.一种系统，所述系统包括: 第一腔室，所述第一腔室被配置以在所述第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第一温度的同时从第一转移单元接收所述半导体晶圆，所述第一腔室包括第一压力控制单元，所述第一压力控制单元被配置以将所述第一腔室压力水平降低至第二压力水平； 第一加热模块，所述第一加热模块包括由加热控制器控制的至少一个加热元件，所述加热控制器被提供有至少一个温度传感器的温度读数；所述至少一个加热元件被配置以将所述半导体晶圆加热至第二温度；以及 第二转移单元，被配置以在所述系统的所述第一腔室与第二腔室之间转移所述半导体晶圆，所述第二腔室包括支承元件，所述支承元件被配置以在第二压力控制单元维持第三压力水平的同时且在所述支承元件处于第三温度的同时接收所述半导体晶圆，所述第三压力水平比所述第一压力水平更接近于所述第二压力水平，而所述第三温度比所述第一温度更接近于所述第二温度。
6.如权利要求5所述的系统，其中所述第二温度和第三温度基本上彼此相等，所述第二压力水平和第三压力水平基本上彼此相等，所述第一腔室为装载锁定腔室，且所述第二压力水平为真空压力水平。
7.如权利要求5所述的系统，其中所述第一加热模块被配置以接触所述半导体晶圆的背部，且在接触所述半导体晶圆的同时加热所述半导体晶圆。
8.如权利要求5所述的系统，进一步包括第二加热模块，被配置以加热所述半导体晶圆上部。
9.如权利要求8所述的系统，其中所述第二加热模块被配置以在不接触所述半导体晶圆的情况下，加热所述半导体晶圆的所述上部。
10.如权利要求5所述的系统，进一步包括提升模块，被配置以从所述第一腔室的另一个元件将所述第一加热模块和所述半导体晶圆提升。
11.如权利要求10所述的系统，其中所述另一元件为预对准器，且所述第一加热模块具有围绕所述预对准器的中心孔。
12.如权利要求5所述的系统，其中所述第一加热模块被配置以在所述第一压力控制单元开始降低所述第一腔室的所述压力水平之前，开始加热所述半导体晶圆。
13.如权利要求5所述的系统，其中所述第一加热模块包括加热元件，所述加热元件定位于导热罩壳之内，且维持超过所述第二压力水平的压力水平。
14.如权利要求5所述的系统，进一步包括控制器，所述控制器被配置以响应于对环境温度和所述第二腔室的所述支承元件温度中的至少一个温度的至少一个感测尝试的结果来确定加热所述半导体晶圆的方式。
15.如权利要求5所述的系统,其中所述第一加热模块包括罩壳,所述罩壳包括界定内部空间的上部和下部，在 所述内部空间中定位了至少一个加热元件和至少一个热传感器。
【文档编号】H01L21/67GK103579044SQ201310185712
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年5月17日 优先权日:2012年7月30日
【发明者】L·沙维特, R·克劳斯, I·耶尔, S·纳卡什, Y·贝伦基 申请人:应用材料以色列公司