技术编号:7258981
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种FinFET制造方法,在去除假栅极层和假栅极绝缘层之后,在外延腔中,采用HC1或比预烘焙工艺对所述鳍片中的FinFET沟道区域进行选择性刻蚀,避免了现有工艺中的缺陷,在保护沟道区域、栅极侧墙以及ILD层的同时,能够精确控制选择性刻蚀的量,有利于在沟道区域形成高迁移率薄膜和进行不同沟道长度和阈值电压器件的集成;同时,减少了晶片转移次数,避免了晶片沾污。专利说明 [0001] 本发明涉及半导体器件制造方法领域,特别地,涉及一种FinFET...
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