技术编号:7259071
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种可变电阻存储器件包括具有垂直晶体管的半导体衬底,所述垂直晶体管具有分路栅,所述分路栅增加了垂直晶体管的栅极的面积。专利说明[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求2012年12月14日向韩国专利局提交的申请号为10-2012-0146380的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。[0003]本发明构思涉及一种,且更具体而言,涉及一种利用晶体管作为存取器件的。背景技术[0004]非易失性存储器件具有储存其中的数据即使在电源关断的情...
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