技术编号：7259082
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种具有源极和漏极的。该非易失性存储器结构包括一衬底和在所述衬底上的一介电层；所述非易失性存储器结构可进一步包含一栅极在介电层上，它可以是一个浮动栅极；在漏极侧上有一凹陷且极接近介电层的底部角落；所述凹陷是用来降低存储器的介电层在受一偏压时其底部角落周围的电场密度，以减少介电层的损伤。专利说明 [0001]本发明与非易失性存储器结构有关。 背景技术 [0002]对非易失性存储器而言，耐用度向来是一个挑战。阈值电压的窗口闭合曲线(thr...
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