技术编号：7259119
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件。具体地，本发明提供一种垂直二极管，包括衬底；n层和p层，设置在衬底的顶面上的n层和p层由GaN形成；形成在衬底的背面上的n电极；以及形成在p层的表面上的p电极。在器件的外周形成有台阶。形成有连续地覆盖台阶的侧表面和底表面的保护膜。在台阶的侧表面和底表面上经由保护膜形成有待连接至p电极的场板电极。当从PN结界面到台阶的底表面上的保护膜的表面的距离定义为h(μm)、保护膜的介电常数定义为εs、以及在台阶的侧表面上的PN结界面处的保护膜的厚...
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