晶体管及其形成方法技术资料下载

技术编号:7259134

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一种,其中,所述晶体管包括衬底,所述衬底包括绝缘层、以及位于绝缘层表面的半导体层,所述半导体层表面具有若干栅极结构;位于相邻栅极结构之间的半导体层的开口,所述开口暴露出绝缘层;位于所述开口侧壁表面的第一应力层;位于侧壁表面具有第一应力层的开口内的介质层,所述介质层的表面低于半导体层表面;位于所述第一应力层和介质层表面的第二应力层,所述第二应力层填充满开口。所述晶体管漏电流减少,性能提高。专利说明 [0001] 本发明涉及半导体制造,尤其涉及一种。 ...
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