技术编号:7259451
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅通孔结构,包括硅通孔;以及与所述硅通孔相连接的反熔丝层;所述反熔丝层包括高K氧化物层,在施加电压的情况下,其电阻由高阻态转换到低阻态,在不施加电压的情况下,其电阻可由低阻态转换到高阻态。在本发明中通过设置所述金属层-高K氧化物层的反熔丝层,实现了所述硅通孔的程序化,通过在电极上施加电压来控制所述硅通孔在不导通(高阻态)到导通(低阻态)之间的反复切换,消除了现有技术中一旦导通便不可逆的弊端。专利说明一种硅通孔结构 [0001]本发明涉及...
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