技术编号：7259637
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子器件领域，公开了一种。本发明中，IGBT结构的栅极并不是整个一块，而是将位于场氧化层上的栅极局部去除，以降低栅极区面积，从而在保持其静态功耗不变的情况下，可以有效地降低IGBT的动态功耗。具有该栅极结构的IGBT的制备仅需对光刻版图进行相应的修改即可，操作简便，易于批量生产。进一步地，采用场截止区，可适用于高压，并且使绝缘栅双极晶体管的结构更薄。进一步地，在多晶硅栅极中掺杂杂质，使其性质更接近金属，电阻值降低。专利说明 [0001] 本...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。