技术编号：7260383
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明揭示了一种，包含提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有场效应晶体管，所述场效应晶体管具有源极区、漏极区、浅掺杂区以及沟道区；去除所述源极区和漏极区中的所述半导体衬底，以在所述源极区和漏极区中形成空腔；在所述空腔中形成第一应变诱发半导体合金层；去除至少部分所述浅掺杂区，以形成空洞；以及在所述第一应变诱发半导体合金层上和所述空洞中形成第二应变诱发半导体合金层，所述第二应变诱发半导体合金层的掺杂浓度高于所述浅掺杂区的掺杂浓度。本发明的中，所述空洞中的所述第...
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