技术编号:7260410
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种鳍型场效应晶体管的及其制造方法,该方法包括提供半导体衬底;在半导体衬底上形成栅极堆叠,所述栅极堆叠依次包括栅下介质层和栅极材料层;在所述栅极堆叠两侧形成侧墙;形成贯穿栅极材料层和侧墙的鳍空位;在鳍空位中形成栅极介质层;形成位于鳍空位中的鳍结构以及位于鳍结构两侧的源漏区。本发明能够简单、高效地形成用于隔离栅极堆叠和源/漏区的高质量侧墙,有效提高器件生产良率。专利说明 [0001]本发明涉及半导体,尤其涉及一种。 背景技术 [0002]...
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