技术编号：7260565
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种高压静电保护结构，包括一N型LDMOS置于一硅衬底上方的N型埋层内；多晶硅栅极的右侧有源区是LDMOS的漏区，由高压N阱，P-型注入区，N-型注入区,第一P+型扩散区和第一N+型扩散区组成；第一P+扩散区以及部分场氧化区下方是P-注入区，第一N+型扩散区下方是N-注入区，P-注入区和N-注入区被高压N阱包围；多晶硅栅极的左侧有源区是此N型LDMOS的源区，由第二N+型扩散区组成，与第二N+扩散区相隔第三场氧化区有第二P+扩散区；漏区的N+型...
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