技术编号:7260849
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种具有应变缓冲层的MOS器件及其形成方法,该期间包括衬底;隔离区,延伸至衬底内;以及半导体鳍,高于隔离区的顶面。半导体鳍具有第一晶格常数。半导体区包括侧壁部分,位于半导体鳍的相对两侧;以及顶部,位于半导体鳍的上方。半导体区具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数。应变缓冲层位于半导体鳍和半导体区之间并且与其接触。应变缓冲层包括氧化物。专利说明具有应变缓冲层的MOS器件及其形成方法 [0001] 本发明总的来说涉及半导体器件,更具体地,涉及具...
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