技术编号:7261066
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了,其包括以下步骤步骤A在清洗好的硅衬底基片上,采用镀膜设备生长的氮化硅层;步骤B在氮化硅层上旋涂光刻胶,采用紫外光刻法在光刻胶上制备正方形阵列图形;步骤C将步骤B中得到的产品采用酸性溶液各向同性腐蚀和碱性溶液各向异性腐蚀出伞状硅锥阵列;步骤D将经上一步处理后的产品放置于氢氟酸以及去离子水中洗去残留的氮化硅。采用此方法制备伞状硅锥复合型结构,其生产效率高,且生产成本较低,具有更广泛的适用性,且由此简单的两步各向异性腐蚀技术制备的硅纳米锥结构无损伤...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。