技术编号:7261199
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,其中,晶体管的形成方法包括衬底表面具有第一半导体层和第二半导体层,第二半导体层的材料与第一半导体层的材料不同;去除部分第二半导体层,在第二半导体层内形成若干暴露出第一半导体层的第一开口,相邻第一开口之间的第二半导体层形成器件层;去除第一开口底部和器件层底部的部分第一半导体层,在第一半导体层内形成第二开口,器件层横跨于第二开口的顶部,且器件层不与第二开口的底部接触;在第二开口内形成第一绝缘层;刻蚀部分器件层以形成第三开口,所述第三开口将至少一条器件层分...
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