技术编号:7261225
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体装置,该半导体装置包括衬底;形成在衬底上的缓冲层;形成在缓冲层上的第一半导体层;以及形成在第一半导体层上的第二半导体层。此外,缓冲层由AlGaN形成并且掺杂有Fe,缓冲层包括彼此具有不同Al组成比的多个层,第一层的Al组成比大于第二层的Al组成比,并且第一层的Fe浓度小于第二层的Fe浓度,第一层和第二层包括在多个层中,并且第一层形成在第二层的衬底侧上。专利说明半导体装置[0001]本文中讨论的实施方案涉及半导体装置。背景技术[0002]氮化物半导...
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