技术编号：7261245
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出了一种用于高压半导体晶体管器件的端接结构。端接结构由至少两个端接区，以及在本体层和器件边缘之间的断路器构成。配置第一区域，用于扩散器件中的电场。配置第二区域，以便平滑地使电场退回到器件顶面。断路器防止器件的边缘短路。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。专利说明[0001]本发明涉及半导体功率器件，更确切地说，具体涉及用于场平衡金属氧化物...
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