技术编号：7261589
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种半导体结构以及形成该结构的方法。根据一个实施例，一种结构包括分别位于衬底的三个区内的三种器件。第一器件包括第一栅叠层，并且第一栅叠层包括第一介电层。第二器件包括第二栅叠层，并且第二栅叠层包括第二介电层。第三器件包括第三栅叠层，并且第三器件包括第三介电层。第三介电层的厚度小于第二介电层的厚度，并且第二介电层的厚度小于第一介电层的厚度。第三栅叠层的栅极长度在量上与第一栅叠层的栅极长度和第二栅叠层的栅极长度不同。专利说明[0001]相关申请[00...
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